[发明专利]氧化锌的金属有机化学气相沉积

权利要求书

1.金属有机化学气相沉积的方法，所述方法包括：

转换冷凝物质源以提供第一气体，所述源包括选自金、银和钾的至少一种元素；

提供包括锌的第二气体和包括氧的第三气体；

将所述第一气体、所述第二气体和所述第三气体输送到基板；和

在所述基板上形成p型氧化锌基半导体层。

2.根据权利要求1的方法，其中所述冷凝物质源是非卤化的和非甲硅烷基化的源。

3.根据权利要求2的方法，其中所述非卤化的和非甲硅烷基化的冷凝物质源处于固相，并且转换包括升华所述源。

4.根据权利要求3的方法，其中所述源在大约30℃到大约300℃之间具有范围从大约10^-5到大约10³托的蒸气压。

5.根据权利要求3的方法，其中输送所述第一气体包括将所述第一气体的输送线路加热到大约所述源的升华温度或者更高的温度。

6.根据权利要求1的方法，其中所述源包括聚合抑制剂。

7.根据权利要求6的方法，其中所述聚合抑制剂包括惰性颗粒。

8.根据权利要求7的方法，其中所述源是用所述惰性颗粒散布的粉末，所述惰性颗粒具有的尺寸分布与所述粉末的量级相同。

9.根据权利要求7的方法，其中所述源是液体或者凝胶并且所述惰性颗粒在所述液体或者所述凝胶中悬浮。

10.根据权利要求6的方法，其中所述聚合抑制剂选自醌和氧。

11.根据权利要求1的方法，进一步包括提供包括与所述第一气体反应的表面活性剂的第四气体，其中输送包括将所述第一气体、所述第二气体、所述第三气体和所述第四气体输送到所述基板。

12.根据权利要求11的方法，其中所述表面活性剂包括硼。

13.根据权利要求1的方法，其中所述冷凝物质源包括卤素或者硅。

14.根据权利要求13的方法，其中所述冷凝物质源处于固相，并且转换包括升华所述源。

15.根据权利要求14的方法，其中所述源在大约30℃和大约300℃之间具有范围从大约10^-5到大约10³托的蒸气压。

16.根据权利要求13的方法，其中所述基板在大约700℃到大约850℃之间的高温环境中被加热。

17.根据权利要求13的方法，进一步包括在高温环境中退火所述p型氧化锌基半导体层一段时期从而卤素或者硅的至少一部分从所述层扩散出去。

18.根据权利要求17的方法，其中所述高温环境在大约500℃到大约1400℃之间。

19.根据权利要求17的方法，其中所述高温环境在大约900℃到大约1100℃之间并且所述时期大于大约1个小时。

20.根据权利要求17的方法，其中退火在范围从大约0.1毫巴到大约2.4千巴的压力下执行。

21.根据权利要求17的方法，其中退火在包括选自惰性气体、空气、氮气和氧气的至少一种的气氛中执行。

22.根据权利要求13的方法，其中所述基板包括第一表面和第二表面，并且形成p型氧化锌基半导体层在所述第一表面上发生，所述方法进一步包括：

磨损所述基板的所述第二表面；和

在高温环境中退火所述基板一段时期从而卤素或者硅的至少一部分从所述第一表面离开朝向所述第二表面扩散。

23.利用金属有机化学气相沉积技术将p型氧化锌基半导体层沉积到基板上的方法，所述方法包括：

将非卤化的和非甲硅烷基化的冷凝物质源转换成提供p型掺杂剂的第一气体，其中所述冷凝物质源包括选自金、银和钾的至少一种元素并且在大约30℃和大约300℃之间具有范围从大约10^-5到大约10³托的蒸气压；

供应包括所述第一气体、包括锌的第二气体和包括氧的第三气体的反应气体；和

将所述反应气体输送到基板的表面以生长p型氧化锌基半导体层。