[发明专利]制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底以及外延晶片

权利要求书

1.一种制造Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底的方法，所述方法包括如下步骤：

准备Si衬底；以及

在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。

2.如权利要求1所述的制造Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底的方法，还包括在所述生长步骤之后除去所述Si衬底的步骤。

3.如权利要求1或2所述的制造Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底的方法，其中在所述生长步骤中通过脉冲激光沉积法来生长所述Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v层。

4.一种制造外延晶片的方法，所述方法包括如下步骤：

通过权利要求1～3中任一项的制造Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底的方法制造Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底；以及

在所述Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v层上生长Al_(1-y-z)Ga_yIn_zN层(0≤y≤1，0≤z≤1，且0≤y+z≤1)。

5.一种包含Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)的Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底，

其中在所述Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v层的10mm见方的区域中尺寸为1mm以上的裂纹的数目，在1＞v+x＞0.5时为7个以下，在0.5≥v+x＞0.1时为5个以下，在0.1≥v+x＞0时为3个以下。

6.如权利要求5所述的Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底，还包含：

具有主面的Si衬底，

其中在所述Si衬底的所述主面上形成有所述Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v层。

7.如权利要求5或6所述的Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底，其中所述Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v层的通过X射线衍射法测得的衍射峰位于SiC衍射峰和AlN衍射峰之间。

8.一种外延晶片，其包含：

权利要求5～7中任一项的Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底；和

在所述Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v层上形成的Al_(1-y-z)Ga_yIn_zN层(0≤y≤1，0≤z≤1，且0≤y+z≤1)。