[发明专利]无损检测半导体材料内部缺陷的方法和设备无效

专利信息
申请号: 200980114435.6 申请日: 2009-04-22
公开(公告)号: CN102016563A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 克劳斯·克莱玛 申请(专利权)人: 克莱玛博士声显微术研究所有限公司
主分类号: G01N29/04 分类号: G01N29/04;G01N29/22;G01N29/265;G01N29/27
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 无损 检测 半导体材料 内部 缺陷 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种用于无损检测半导体材料(2)的内部缺陷的方法,所述半导体材料(2)具有长度(L)以及横截面区(Q),所述方法的特征在于以下步骤:

设置超声波设备(10),其中,在所述超声波设备(10)和所述半导体材料(2)的侧面(5)之间产生相对运动,沿着所述半导体材料(2)的长度(L)移动所述超声波设备(10);

在所述半导体材料(2)和所述超声波设备(10)之间的所述相对运动期间,从所述超声波设备(10)向所述半导体材料(2)发射超声波脉冲,与此并行地,记录与时间和空间有关的来自所述半导体材料(2)内部的对所述超声波脉冲的超声波回波信号,使得从整块所述半导体材料(2)捕获所述半导体材料(2)的内部缺陷;

在所述半导体材料(2)为圆柱状的情况下,在所述超声波设备(10)沿着所述半导体材料(2)的长度(L)移动期间,捕获直到所述半导体材料(2)的中心(M)的至少一个扇形区,或者在所述半导体材料(2)为长方体状的情况下,在所述超声波设备(10)沿着所述半导体材料(2)的第一外表面的长度(L)移动期间,捕获直到所述半导体材料(2)的中央面(3)的至少一个长方体(31);以及

通过介质(8)将所述超声波脉冲耦合到所述半导体材料(2)以及通过所述介质(8)耦合来自所述半导体材料(2)的所述超声波回波信号。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述半导体材料(2)为圆柱状的情况下,所述半导体材料(2)能绕轴线(4)转动,以利用所述超声波设备(10)捕获随后的直到所述半导体材料(2)的中心(M)的至少一个扇形区(21)。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,设置计算机控制,通过所述计算机控制,以如下方式处理从圆柱状的所述半导体材料(2)的内部返回的所述超声波回波信号:使来自所述至少一个扇形区(21)的区域的超声波回波信号被处理并且使来自所述至少一个扇形区(21)之外的超声波回波信号不被处理。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述半导体材料为长方体状的情况下,横切所述半导体材料(2)的长度(L)地使所述超声波设备(10)移位,在所述超声波设备(10)沿着所述半导体材料(2)的第一外表面的长度(L)的随后的移动期间,捕获直到所述半导体材料(2)的中央面(3)的至少一个长方体(31),并且在所述半导体材料(2)的从所述第一表面(5a)到所述中央面(3)的所有长方体(31)被捕获之后,所述半导体材料(2)翻转180°,以从第二外表面(5b)捕获其它长方体(31)。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,设置计算机控制,通过所述计算机控制,以如下方式处理从所述半导体材料(2)的内部返回的所述超声波回波信号:使来自直到所述中央面(3)的所述至少一个长方体(31)的区域的超声波回波信号被处理并且使来自所述至少一个长方体之外的超声波回波信号不被处理。

6.一种用于无损检测半导体材料(2)的内部缺陷的设备,所述半导体材料(2)具有长度(L)、横截面区(Q)以及与所述长度(L)对齐的侧面(5),其中,所述用于无损检测半导体材料的内部缺陷的设备被设计成检查圆柱状的半导体材料(2)或长方体状的半导体材料(2),超声波设备(10)被分配到所述半导体材料(2),而且设置在所述超声波设备(10)和所述半导体材料(2)的所述侧面(5)之间产生沿着所述半导体材料(2)的所述侧面(5)的长度(L)的相对运动的机构(9),所述用于无损检测半导体材料的内部缺陷的设备的特征在于,所述超声波设备(10)和控制装置被设计成:在所述半导体材料(2)为圆柱状的情况下,沿着所述半导体材料(2)的长度(L),能检查直到所述半导体材料(2)的中心(M)的至少一个扇形区,或者,在所述半导体材料(2)为长方体状的情况下,在所述超声波设备(10)沿着所述半导体材料(2)的第一外表面的长度(L)移动期间,能检查直到所述半导体材料(2)的中央面(3)的至少一个长方体(31),其中,所述控制装置用于控制所述超声波设备(10)和所述半导体材料(2)之间的相对运动、用于控制将超声波脉冲发射到所述半导体材料(2)上以及与此并行地记录来自所述半导体材料(2)的内部的超声波回波信号。

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