[发明专利]用于光伏器件的装配线

权利要求书

1.一种用于生产薄膜光伏器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)提供至少一个基板，所述至少一个基板包括前触点；

b)将至少第一半导体堆叠沉积到所述基板上，以产生光伏器件；

并且还包括以下步骤中的至少两项：

c)将后触点施加至所述光伏器件上；

d)接触所述光伏器件；

e)从所述光伏器件的边缘区域移除不必要的材料；

f)封装所述光伏器件；

g)交叉接触所述光伏器件；及/或

h)框装所述光伏器件；

其中将所述基板从所述方法的一个步骤连续地或半连续地移动到所述方法的下一步骤。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜光伏器件为串叠式薄膜光伏器件，并且在步骤b)中沉积至少第一半导体堆叠和第二半导体堆叠，其中所述第一半导体堆叠为非晶半导体堆叠，并且所述第二半导体堆叠为微晶半导体堆叠。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用容器同时移动多个基板。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述容器为汽车，包括提供所定义接口的停靠装置，及/或包括用于保护所述基板的装置。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a)进一步包括可选地沉积介电质，并且包括沉积至少一个经纹理化的透明导电氧化物(TCO)层以提供前触点。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在n个单独的步骤中不连续地沉积n＞1个TCO层。

7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，以2-4nm/s的速率沉积所述TCO层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c)中的所述后触点为TCO层或金属后触点。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述后触点为TCO层，所述方法进一步包括施加后反射体。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过使用激光，将步骤a)的所述前触点、步骤b)的所述至少第一半导体堆叠及/或步骤c)的所述后触点图案化。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在周围温度下进行所述激光处理。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过应用密封箔片及/或应用后玻璃进行步骤f)的所述封装。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤a)至所述步骤h)中任一步骤之前及/或之后进行所述基板及/或所述光伏器件的清洁步骤。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤a)至所述步骤h)中任一步骤之前及/或之后使所述基板及/或所述光伏器件经受质量检查。

15.一种用于根据如权利要求1至14中任一项所述的方法来生产薄膜光伏器件的系统，其特征在于，包括：

a)沉积装置，用于将至少第一半导体堆叠沉积到基板上，以产生光伏器件；

并且可选地进一步包括：

b)施加装置，用于将后触点施加至所述光伏器件；

c)接触装置，用于接触所述光伏器件；

d)移除装置，用于从所述光伏器件的边缘区域移除不必要的材料；

e)封装装置，用于封装所述光伏器件；

f)交叉接触装置，用于交叉接触所述光伏器件；及/或

g)框装装置，用于框装所述光伏器件；

其中，所述系统进一步包括移动装置，用于将所述基板从所述系统的一个装置连续地或半连续地移动到所述系统的下一装置。