[发明专利]环氧基组合物、粘合膜、切割模片粘合膜和半导体器件有效
申请号: | 200980114672.2 | 申请日: | 2009-04-24 |
公开(公告)号: | CN102015953A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 柳贤智;高东汉;金章淳;朴孝淳;洪宗完;朱孝叔 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | C09J163/00 | 分类号: | C09J163/00 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 朱梅;刘晔 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环氧基 组合 粘合 切割 半导体器件 | ||
1.一种符合下面式1的环氧组合物:
[式1]
X=5%~20%,
其中,X为在使所述环氧组合物在110℃的温度下干燥3分钟后测量的凝胶含量。
2.根据权利要求1所述的环氧组合物,其中,所述凝胶含量为不低于5%且低于20%。
3.根据权利要求1所述的环氧组合物,其包含(a)热塑性树脂、(b)环氧树脂和(c)硬化剂。
4.根据权利要求3所述的环氧组合物,其中,所述(a)热塑性树脂具有内交联结构或内缠绕结构。
5.根据权利要求3所述的环氧组合物,其中,所述热塑性树脂在硬化前的玻璃化转变温度为-30℃~50℃。
6.根据权利要求3所述的环氧组合物,其中,所述(a)热塑性树脂的重均分子量为100,000~2,500,000。
7.根据权利要求3所述的环氧组合物,其中,所述(a)热塑性树脂为包括选自含缩水甘油基的单体、含羟基的单体、含羧基的单体和含腈基的单体中的至少一种单体的单体的聚合物。
8.根据权利要求3所述的环氧组合物,其中,所述(b)环氧树脂在硬化前的软化温度为50℃~100℃。
9.根据权利要求3所述的环氧组合物,其中,所述(b)环氧树脂的环氧当量为180~1,000。
10.根据权利要求3所述的环氧组合物,其中,所述(b)环氧树脂为选自甲酚线型酚醛环氧树脂、双酚A型线型酚醛环氧树脂、苯酚线型酚醛环氧树脂、4官能团环氧树脂、联苯型环氧树脂、三苯酚甲烷型环氧树脂、烷基改性的三苯酚甲烷型环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂和二环戊二烯改性的苯酚型环氧树脂中的一种或多种。
11.根据权利要求3所述的环氧组合物,其中,相对于100重量份的(a)热塑性树脂,所述(b)环氧树脂的含量为10~200重量份。
12.根据权利要求3所述的环氧组合物,其中,所述(c)硬化剂为羟基当量为100~1,000的多官能团酚醛树脂。
13.根据权利要求12所述的环氧组合物,其中,所述(c)硬化剂的软化温度为50℃~150℃。
14.根据权利要求12所述的环氧组合物,其中,所述多官能团酚醛树脂为选自双酚A树脂、线型酚醛树脂、甲酚线型酚醛树脂、双酚A线型酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、多官能团线型酚醛清漆树脂、二环戊二烯线型酚醛树脂、氨基三嗪线型酚醛树脂、聚丁二烯线型酚醛树脂和联苯型树脂中的一种或多种。
15.根据权利要求1所述的环氧组合物,其中,相对于(b)环氧树脂的环氧当量,所述(c)硬化剂的当量比为0.4~2。
16.一种粘合膜,其包括:基膜;和粘合层,其形成在基膜上并且包含根据权利要求1所述的环氧组合物的固化产物。
17.根据权利要求16所述的粘合膜,其中,所述粘合层的厚度为5μm~200μm。
18.一种切割模片粘合膜,其包括:切割胶带;和粘合部分,其形成在切割胶带上并且包含根据权利要求1所述的环氧组合物的固化产物。
19.一种半导体晶片,其中,将根据权利要求18所述的切割模片粘合膜的粘合部分粘附到晶片的一侧上,并且将所述切割胶带固定在晶片环的框架上。
20.一种半导体器件,其包括:布线板;粘合层,其粘附至布线板的芯片安装面上并且包含根据权利要求1所述的环氧组合物的固化产物;和半导体芯片,其安装在粘合层上。
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