[发明专利]具有空穴注入传输层的器件及其制造方法、以及用于形成空穴注入传输层的墨液有效
申请号: | 200980114949.1 | 申请日: | 2009-04-28 |
公开(公告)号: | CN102017217A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 上野滋弘;桥本庆介;冈田政人;武诚司;田口洋介;加纳正隆;藤本慎也 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张宝荣 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 空穴 注入 传输 器件 及其 制造 方法 以及 用于 形成 | ||
1.一种器件,其特征在于,
所述器件具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层,
所述空穴注入传输层含有含过渡金属的纳米粒子,所述含过渡金属的纳米粒子包含至少含有过渡金属氧化物的过渡金属化合物及过渡金属和保护剂,或者包含至少含有过渡金属氧化物的过渡金属化合物和保护剂。
2.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,
所述含过渡金属的纳米粒子所包含的过渡金属及过渡金属化合物中的过渡金属为选自钼、钨、钒及铼中的至少1种金属。
3.根据权利要求1或2所述的器件,其特征在于,
所述空穴注入传输层包含所含的过渡金属各自不同的2种以上的含过渡金属的纳米粒子。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的器件,其特征在于,
所述含过渡金属的纳米粒子的平均粒径为15nm以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的器件,其特征在于,
所述空穴注入传输层至少含有所述含过渡金属的纳米粒子及空穴传输性化合物。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的器件,其特征在于,
所述空穴注入传输层由至少层叠含有所述含过渡金属的纳米粒子的层和含有空穴传输性化合物的层而成的层构成。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的器件,其特征在于,
所述空穴注入传输层由至少层叠含有所述含过渡金属的纳米粒子的层和至少含有所述含过渡金属的纳米粒子及空穴传输性化合物的层而成的层构成。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的器件,其特征在于,
所述含过渡金属的纳米粒子的所述保护剂包含:起到与所述过渡金属及/或过渡金属化合物连结的作用的连结基和芳香族烃及/或杂环。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的器件,其特征在于,
所述含过渡金属的纳米粒子的所述保护剂包含电荷传输性基团。
10.根据权利要求5~9中任一项所述的器件,其特征在于,
所述空穴传输性化合物为具有原子量的总和MA为100以上的A部分的化合物,
所述含过渡金属的纳米粒子中的所述保护剂除了具有连结基以外,还具有B部分,所述B部分的原子量的总和MB为100以上,该原子量的总和MB与所述原子量的总和MA满足下述式(I)的关系,该原子量的总和MB大于保护剂的分子量的1/3,
所述A部分的溶解度参数SA和所述B部分的溶解度参数SB满足下述式(II)的关系,
|MA-MB|/MB≤2 式(I)
|SA-SB|≤2 式(II)。
11.根据权利要求10所述的器件,其特征在于,
所述B部分具有与所述A部分相同的骨架或在相同的骨架内包含间隔基结构的相似骨架。
12.根据权利要求8~11中任一项所述的器件,其特征在于,
所述连结基为选自下述通式(1a)~(1l)所示的官能团中的1种以上,
[化学式1]
式中,Z1、Z2及Z3分别独立地表示卤素原子或烷氧基。
13.根据权利要求5~12中任一项所述的器件,其特征在于,
所述空穴传输性化合物为空穴传输性高分子化合物。
14.根据权利要求1~13中任一项所述的器件,其中,
所述器件为含有至少包含发光层的有机层的有机EL元件。
15.一种器件的制造方法,其特征在于,
所述器件具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层,
所述制造方法具有:
配制含有含过渡金属的纳米粒子和有机溶剂的用于形成空穴注入传输层的墨液的工序,其中,所述含过渡金属的纳米粒子包含过渡金属及/或过渡金属化合物和保护剂;
使用所述用于形成空穴注入传输层的墨液,在所述电极上的任一层上形成空穴注入传输层的工序;和
将所述含过渡金属的纳米粒子中的至少一部分过渡金属及/或过渡金属化合物形成过渡金属氧化物的氧化物化工序。
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