[发明专利]浮式片材制造装置及方法有效
申请号: | 200980114977.3 | 申请日: | 2009-03-13 |
公开(公告)号: | CN102017178A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 彼德·L·凯勒曼;法兰克·辛克莱 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 浮式片材 制造 装置 方法 | ||
1.一种片材制造装置,包括:
一容器,定义出一通道以容纳一材料的一熔体,该熔体会从该通道的一第一位置流至一第二位置;
一冷却板,邻近该熔体,该冷却板用以在该熔体上形成该材料的一片材;以及
一溢流道,配置于该通道的该第二位置,该溢流道用以将该片材从该熔体分离。
2.根据权利要求1所述的片材制造装置,其中该材料包括硅。
3.根据权利要求1所述的片材制造装置,其中该材料包括硅与锗,且该片材具有一渐进型能带间隙。
4.根据权利要求1所述的片材制造装置,其中该冷却板的温度至少比该熔体低300K。
5.根据权利要求1所述的片材制造装置,其中该冷却板包括多个冷却段。
6.根据权利要求5所述的片材制造装置,其中每一该冷却段具有不同的温度。
7.根据权利要求1所述的片材制造装置,其中该冷却板采用辐射冷却。
8.根据权利要求1所述的片材制造装置,其中该片材具有一第一宽度,该冷却板具有一第二宽度,且该第一宽度与该第二宽度相同。
9.根据权利要求1所述的片材制造装置,其中该冷却板具有一弯曲边缘。
10.根据权利要求1所述的片材制造装置,其中该片材为多晶硅或单晶硅。
11.根据权利要求1所述的片材制造装置,其中该熔体从该通道的该第一位置流至该第二位置是藉由一选自磁流体动力驱动器、螺旋泵、叶轮泵、转轮及压力所组成的群体的装置来达成。
12.根据权利要求1所述的片材制造装置,其中该容器、该冷却板及该溢流道是配置于一包覆件中,该包覆件用以控制其内的温度及环境压力至少其中之一。
13.一种片材制造方法,包括:
使一材料的一熔体流经一通道;
冷却该熔体;
在该熔体上形成该材料的一片材;
使该片材与该熔体流动;以及
将该片材从该熔体分离。
14.根据权利要求13所述的片材制造方法,其中该片材与该熔体是由硅或硅与锗所组成。
15.根据权利要求13所述的片材制造方法,其中该分离是采用一溢流道来达成。
16.根据权利要求13所述的片材制造方法,其中该冷却为辐射冷却。
17.根据权利要求13所述的片材制造方法,还包括以该片材利用一连续流动装置制造一太阳能电池。
18.根据权利要求13所述的片材制造方法,还包括运送该片材穿过一第二熔体,且在该第二熔体中使该片材的厚度增加。
19.一种利用如权利要求13所述的方法所形成的产物。
20.一种片材制造装置,包括:
一第一通道,用以容纳一材料的一熔体,该熔体会从该第一通道的一第一位置流动至一第二位置;
一冷却板,邻近该第一通道,该冷却板用以在该熔体上形成该材料的一片材;
一溢流道,配置于该第一通道的该第二位置,该溢流道配置于该熔体内,并用以将该片材从该熔体分离,其中该熔体会流动而远离该片材;以及
一第二通道,该熔体会在该第二通道中被运送至该第一通道的该第一位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的