[发明专利]蒸发系统无效
申请号: | 200980115073.2 | 申请日: | 2009-04-15 |
公开(公告)号: | CN102046834A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | Q·胡 | 申请(专利权)人: | 光实验室瑞典股份公司 |
主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;H01J9/02 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 南毅宁;周建秋 |
地址: | 瑞典萨尔*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 蒸发 系统 | ||
1.一种蒸发系统,该蒸发系统包括:
真空室;
用于容纳蒸发材料的坩埚;
用于容纳衬底的衬底架;以及
用于对要被淀积在所述衬底上的所述蒸发材料进行加热的电子束源,其中所述电子束源与所述坩埚和所述衬底架一起被布置在所述真空室内,其特征在于,所述电子束源是场致发射电子束源,以及所述蒸发系统还包括控制单元,该控制单元用于控制由所述场致发射电子束源所发射的电子的方向,从而使所发射的电子对所述蒸发材料进行加热以使所述蒸发材料蒸发。
2.根据权利要求1所述的蒸发系统,该蒸发系统还包括用于容纳不同的蒸发材料的多个坩埚,其中由所述场致发射电子束源所发射的电子的方向能由所述控制单元调节,从而允许对布置在所述多个坩埚中的不同的蒸发材料进行后续加热。
3.根据权利要求1和2中任一项权利要求所述的蒸发系统,该蒸发系统还包括控制电极,该控制电极用于与所述控制单元相配合以控制在控制阳极和所述场致发射电子束源之间的电场的强度和方向。
4.根据上述任一项权利要求所述的蒸发系统,该蒸发系统还包括能被所述控制单元控制的遮板,其中所述遮板适于覆盖所述衬底和所述场致发射电子束源中的至少一者。
5.根据上述任一项权利要求所述的蒸发系统,该蒸发系统还包括用于检测淀积到所述衬底上的所述蒸发材料的厚度的传感器。
6.根据上述任一项权利要求所述的蒸发系统,该蒸发系统还包括用于所述坩埚的冷却装置。
7.根据上述任一项权利要求所述的蒸发系统,其中所述真空室提供范围在大约10-7到10-4mPa之间的压力。
8.根据上述任一项权利要求所述的蒸发系统,该蒸发系统还包括混合室和用于将氧化气体引入到所述混合室中的装置,其中所述氧化气体与所述混合室内的已蒸发的蒸发材料相混合。
9.根据上述任一项权利要求所述的蒸发系统,其中所述场致发射电子束源包括传导支架和至少部分覆盖所述支架的碳化固体化合物泡沫,其中从包括酚醛树脂以及金属盐和金属氧化物中的至少一者的液体化合物转化成所述碳化固体化合物泡沫。
10.根据权利要求9所述的蒸发系统,其中所述碳化固体化合物泡沫具有连续的蜂窝状结构。
11.根据权利要求9或10中任一项权利要求所述的蒸发系统,其中所述碳化固体化合物泡沫还包括多个尖的发射边缘,该多个尖的发射边缘布置在所述碳化固体化合物泡沫的表面上。
12.根据权利要求1-8中任一项权利要求所述的蒸发系统,其中所述场致发射电子束源包括多个具有第一端和第二端的ZnO纳米结构、用于将所述ZnO纳米结构彼此电绝缘的电绝缘体、连接到所选择的所述ZnO纳米结构的第二端的导电件、和布置在所述导电件上的支架结构,其中所述ZnO纳米结构的第一端是允许所述ZnO纳米结构从完好限定的表面生长起来的端,并且所述ZnO纳米结构的第一端是暴露的。
13.根据上述任一项权利要求所述的蒸发系统,其中所述坩埚是用于容纳多种蒸发材料的多坩埚组件。
14.根据上述任一项权利要求所述的蒸发系统,其中所述蒸发系统是场致发射分子束外延(FEMBE)系统。
15.一种用于蒸发系统的电子束源,所述蒸发系统包括:
真空室;
用于容纳蒸发材料的坩埚;以及
用于容纳衬底的衬底架;
其中所述电子束源被提供以用于对要被淀积在所述衬底上的所述蒸发材料进行加热,以及所述电子束源与所述坩埚和所述衬底架一起被布置在所述真空室内,其特征在于,所述电子束源是场致发射电子束源,以及所述蒸发系统还包括控制单元,该控制单元用于控制由所述场致发射电子束源所发射的电子的方向,从而使所发射的电子对所述蒸发材料进行加热以便使所述蒸发材料蒸发。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光实验室瑞典股份公司,未经光实验室瑞典股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980115073.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:便于更换智能模块的光伏接线盒
- 下一篇:一种光伏汇流装置
- 同类专利
- 专利分类