[发明专利]具有集成场效应整流器的MOSFET有效
| 申请号： | 200980115255.X | 申请日： | 2009-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102037548A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | A·安考迪诺维;V·罗多维;R·科德尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 集成 场效应 整流器 mosfet | ||
【权利要求书】：
1.在具有栅极、源极和漏极的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构中，其中在所述源极和所述漏极之间流动的电流由施加到所述栅极的电压控制，改进包括：
场效应整流器，其连接在所述源极和所述漏极之间，并用于在MOSFET的切换期间通过其分流电流。
2.根据权利要求1的MOSFET结构，其中MOSFET是DMOS结构。
3.根据权利要求1的MOSFET结构，其中MOSFET是UMOS结构。
4.根据权利要求1的MOSFET结构，使用自对准工艺形成。
5.根据权利要求1的MOSFET结构，使用不大于0.25μm的工艺形成。
6.根据权利要求1的MOSFET结构，使用N-外延工艺形成。
7.根据权利要求1的MOSFET结构，使用多层外延工艺形成。
8.根据权利要求1的MOSFET结构，使用超沟槽工艺形成。
9.一种集成半导体结构，包括：MOSFET，其具有栅极、源极和漏极；以及场效应整流器，其形成在与所述MOSFET相同的衬底中，并且连接在所述MOSFET的源极与漏极之间，用于在所述MOSFET的切换期间传导电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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