[发明专利]太阳能电池中合并植入的使用有效
申请号: | 200980115537.X | 申请日: | 2009-03-05 |
公开(公告)号: | CN102047390A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 尼可拉斯·P·T·贝特曼;保罗·J·墨菲;保罗·沙利文;阿塔尔·古普塔 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L31/042 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 合并 植入 使用 | ||
1.一种使用衬底制造太阳能电池的方法,包括:
产生一真空,其中该衬底在该真空中受到植入;
使用一第一种类于该衬底的一第一表面进行一第一离子植入;
导入一掩膜图案用以覆盖该衬底的该第一表面的一部分;以及
使用一第二种类于该表面进行一第二离子植入,而该第二种类只有植入于该衬底的该第一表面的一未覆盖部分,其中该第一离子植入和该第二离子植入是在未破真空的情况下进行。
2.根据权利要求1所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中该第一种类与该第二种类为相同种类。
3.根据权利要求1所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中该第一种类与该第二种类包括多个掺质。
4.根据权利要求1所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中该第一种类与该第二种类为不同种类。
5.根据权利要求1所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中该第一种类或该第二种类包括一非掺质。
6.根据权利要求1所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中在该第一离子植入之前加入一第二掩膜图案,使该第一种类只掺杂于该衬底的一部分。
7.一种使用衬底制造太阳能电池的方法,包括:
产生一真空,其中该衬底在该真空中受到植入;
使用一第一种类于该衬底的一第一表面进行一第一离子植入;
翻转该衬底,以暴露一第二表面;
加入一掩膜图案,以覆盖该衬底的该第二表面的一部分;以及
使用一第二种类于该第二表面进行一第二离子植入,而使只有该衬底的该第二表面的一未覆盖部分被植入该第二种类,其中该第一离子植入与该第二植入是在未破真空的情况下进行。
8.根据权利要求7所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中该第一种类与该第二种类为相同种类。
9.根据权利要求7所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中该第一种类与该第二种类包括多个掺质。
10.根据权利要求7所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中该第一种类与该第二种类为不同种类。
11.根据权利要求7所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中该第一种类或该第二种类包括一非掺质。
12.根据权利要求7所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中一第二掩膜图案是在该第一离子植入之前加入,因此该第一种类只有掺杂于该衬底的该第一表面的一部分。
13.一种使用衬底制造太阳能电池的方法,包括:
产生一真空,其中该衬底在该真空中受到植入;
使用一第一种类于该衬底的一第一表面进行一第一离子植入;
翻转该衬底,以暴露一第二表面;以及
使用一第二种类于该第二表面进行一第二离子植入,其中该第一离子植入与该第二离子植入是在未破真空的情况下进行。
14.根据权利要求13所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中该第一种类与该第二种类为相同种类。
15.根据权利要求13所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中该第一种类与该第二种类包括多个掺质。
16.根据权利要求13所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中该第一种类与该第二种类为不同种类。
17.根据权利要求13所述的方法,其中该第一种类或该第二种类包括一非掺质。
18.根据权利要求13所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中在该第一离子植入之前加入一第一掩膜图案,使该第一种类只掺杂于该衬底的该第一表面的一部分。
19.根据权利要求17所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中在该第二离子植入之前加入一第二掩膜图案,使该第二种类只掺杂于该衬底的该第二表面的一部分。
20.根据权利要求13所述的使用衬底制造太阳能电池的方法,其中在该第二离子植入之前加入一掩膜图案,使该第二种类只掺杂于该衬底的该第二表面的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造