[发明专利]组合的等离子体增强的沉积技术

权利要求书

1.一种方法，包括：

指定基底的多个区域；

向所述多个区域的至少第一个区域提供第一种前体；

向所述第一个区域提供第一种等离子体以在所述第一个区域上沉积使用所述第一种前体形成的第一种材料，其中所述第一种材料与在所述基底的第二个区域上形成的第二种材料不同。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一个区域中提供所述第一种等离子体，而不在所述第二个区域中提供所述第一种等离子体。

3.如权利要求1所述的方法，其中提供所述第一种等离子体包括：

向所述第一个区域提供第一种气体；

在提供所述第一种气体的喷头与支撑所述基底的基座之间产生等于或大于所述第一种气体的击穿电压的电压差，以点燃所述第一个区域中的所述第一种等离子体。

4.如权利要求1所述的方法，其中提供所述第一种等离子体包括从远程等离子体源提供所述第一种等离子体。

5.如权利要求1所述的方法，其中提供所述第一种前体和提供所述第一种等离子体被顺序地执行。

6.如权利要求1所述的方法，其中提供所述第一种前体和提供所述第一种等离子体大约同时被执行。

7.如权利要求1所述的方法，还包括向所述第二个区域提供第二种气体。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：

其中所述第一种气体和所述第二种气体从喷头的第一个部分和第二个部分喷出；

其中所述基底置于与所述喷头相对的基座上；以及

产生所述基座和所述喷头之间的电压差，以在所述第一个区域中提供所述第一种等离子体而在所述第二个区域中不提供所述第一种等离子体。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述基座和所述喷头之间的距离以及所述第一种气体足以在所述第一个区域中提供所述第一种等离子体，且所述距离和所述第二种气体不足以在所述第二个区域中提供所述第一种等离子体。

10.如权利要求1所述的方法，还包括将所述第一种等离子体从所述第一个区域移动到所述第二个区域。

11.如权利要求10所述的方法，其中移动所述第一种等离子体包括改变所述第一个区域中的第一种气体混合以及改变所述第二个区域中的第二种气体混合，以熄灭所述第一个区域中的所述第一种等离子体并点燃所述第二个区域中的所述第一种等离子体。

12.如权利要求1所述的方法，还包括向所述第二个区域提供与所述第一种前体不同的第二种前体。

13.如权利要求1所述的方法，还包括向所述第二个区域提供所述第一种前体。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述多个区域中的每个区域具有大约相同的大小和大约相同的形状。

15.如权利要求1所述的方法，其中流到所述多个区域中的每个区域中的总流量大约相等。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述总流量在所述基底上轴对称。

17.如权利要求1所述的方法，其中所述材料使用化学汽相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中的一个被沉积。

18.如权利要求3所述的方法，还包括：

向所述第二个区域提供所述第一种气体；

在所述基座和所述喷头之间产生所述电压差；

其中所述喷头的对应于所述第一个区域的第一个部分和所述基底之间的第一距离足以导致所述击穿电压并点燃所述第一个区域中的所述第一种等离子体；以及

其中所述喷头的对应于所述第二个区域的第二个部分和所述基底之间的第二距离不足以导致所述击穿电压和点燃所述第二个区域中的所述第一种等离子体。

19.如权利要求1所述的方法，还包括在所述第二个区域中提供与所述第一种等离子体不同的第二种等离子体。

20.如权利要求17所述的方法，其中提供所述第二种等离子体与提供所述第一种等离子体顺序地发生。

21.如权利要求1所述的方法，还包括向所述多个区域中的每个区域提供所述第一种等离子体。