[发明专利]溅射用氧化物烧结体靶及其制造方法有效
| 申请号： | 200980115641.9 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102016112A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 长田幸三;大塚洋明 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;C04B35/453 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 氧化物 烧结 及其 制造 方法 | ||
1.一种溅射用氧化物烧结体靶，其包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)以及不可避免的杂质，其特征在于，各元素的组成比为式：InxGayZnzOa{式中，0.2≤x/(x+y)≤0.8，0.1≤z/(x+y+z)≤0.5，a＝(3/2)x+(3/2)y+z}，该氧化物烧结体靶的90μm×90μm面积范围内存在的平均粒径3μm以上的ZnGa2O4的尖晶石相的个数为10个以下。
2.如权利要求1所述的溅射用氧化物烧结体靶，其特征在于，氧化物烧结体靶的90μm×90μm面积范围内存在的ZnGa2O4的尖晶石相的最大粒径为5μm以下。
3.如权利要求1或2所述的溅射用氧化物烧结体靶，其特征在于，靶的密度为6.0g/cm3以上，体电阻值为5.0×10-2Ω·cm以下。
4.一种溅射用氧化物烧结体靶的制造方法，制造包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)以及不可避免的杂质的溅射用氧化物烧结体靶，其特征在于，调节氧化铟(In2O3)、氧化镓(Ga2O3)和氧化锌(ZnO)原料粉末使得各元素的组成比为式：InxGayZnzOa{式中，0.2≤x/(x+y)≤0.8，0.1≤z/(x+y+z)≤0.5，a＝(3/2)x+(3/2)y+z}，并且将In2O3原料粉末的比表面积设定为10m2/g以下，将这些粉末混合并粉碎后，在1400～1490℃的温度范围下进行烧结。
5.如权利要求4所述的溅射用氧化物烧结体靶的制造方法，其特征在于，在将所述In2O3、Ga2O3和ZnO原料粉末混合并粉碎的工序中，进行粉碎直到粉碎前后的比表面积差为2.0m2/g以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JX日矿日石金属株式会社，未经JX日矿日石金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980115641.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
