[发明专利]制造纯净或掺杂的半导体材料的非负载的制品的方法

权利要求书

1.一种制造半导体材料的非负载的制品的方法，该方法包括：

提供温度为T_模的模具；

提供温度为T_S的熔融半导体材料，其中T_S＞T_模；

用颗粒涂覆模具的外表面；

将模具浸入熔融半导体材料中足够长的时间，在模具的外表面上形成半导体材料的固体层；

从熔融半导体材料中取出带有半导体材料固体层的模具；

从模具分离半导体材料固体层，形成半导体材料的非负载的制品。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体材料选自硅、硅的合金和化合物、锗、锗的合金和化合物、砷化镓、砷化镓的合金和化合物、锡、锡的合金和化合物、及其组合。

3.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述半导体材料选自硅、硅合金、和硅化合物。

4.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，用颗粒涂覆模具外表面的步骤包括将模具暴露于熔融半导体材料之上的烟气足够长的时间，在模具外表面上形成由熔融半导体材料产生的颗粒。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在将模具浸入熔融半导体材料中之前，使模具位于熔融半导体材料之上并暴露于熔融半导体材料的烟气中，以及/或者在将模具浸入熔融半导体材料的时候，使模具暴露于熔融半导体材料的烟气。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在将模具浸入熔融半导体材料中之前，使模具位于熔融半导体材料之上并暴露于熔融半导体材料的烟气中。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，使模具位于熔融半导体材料之上并暴露于熔融半导体材料的烟气中，还在将模具浸入熔融半导体材料中的时候，使模具暴露于烟气中。

8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，使模具位于熔融半导体材料之上并暴露于熔融半导体材料之上的烟气中10-30秒。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用颗粒涂覆模具外表面的步骤包括将颗粒喷射、摩擦、涂刷、倾倒、浸涂、化学气相沉积、物理气相沉积、等离子体辅助的化学气相沉积或等离子体电感沉积在模具的外表面上。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，涂覆模具外表面的颗粒形成基本连续的颗粒涂层。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，基本连续的颗粒涂层的厚度为100纳米到5微米。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，颗粒形成覆盖至少60％的模具外表面的涂层。

13.如权利要求所述的方法，其特征在于，颗粒的平均粒度为10纳米到2微米。

14.如权利要求所述的方法，其特征在于，颗粒包含硅、硅氧化物、氮化硅、铝氧化物、硅酸铝、及其组合。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，熔融半导体材料之上的气氛包含氩气和氢气。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，模具按0-180°的浸渍角浸入熔融半导体材料中。

17.一种制造半导体材料的非负载的制品的方法，该方法包括：

提供温度为T_模的模具；

提供温度为T_S的熔融半导体材料，其中T_S＞T_模；

将模具浸入熔融半导体材料中足够长的时间，在模具的外表面上形成半导体材料的固体层，其中只通过熔融半导体材料的温度改变模具的温度；

从熔融半导体材料取出带有半导体材料固体层的模具；和

从模具分离半导体材料固体层，形成半导体材料的非负载的制品。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，按0-180°的浸渍角将模具浸入熔融半导体材料中。

19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在将模具浸入熔融半导体材料中之前以及/或者在将模具浸入熔融半导体材料中的时候，用颗粒涂覆模具的外表面。