[发明专利]用于旋转基板的非径向温度控制系统有效
申请号: | 200980115810.9 | 申请日: | 2009-05-01 |
公开(公告)号: | CN102017101A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 沃尔夫冈·R·阿得厚德;亚伦·亨特;约瑟夫·R·拉尼什 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/683 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武;南霆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 旋转 径向 温度 控制系统 | ||
1.一种用于处理基板的设备,其包括:
腔室主体,其限定处理容积;
基板支撑件,其置于该处理容积中,其中该基板支撑件被配置以旋转该基板;
传感器组件,其被配置以测量该基板在多个位置的温度;以及
一个或更多个脉冲加热组件,其被配置以对该处理容积提供脉冲式能量。
2.如权利要求1所述的设备,还包括主加热源,其被配置以对该处理容积提供能量。
3.如权利要求2所述的设备,还包括系统控制器,其被配置以调整该一个或更多个脉冲加热组件的频率、相位与振幅中至少一者,并调整对该主加热源的功率级,其中,该控制器被配置以使用该传感器组件而产生在该基板支撑件上旋转的基板的温度图,并根据该温度图调整该一个或更多个脉冲加热组件以及该主加热源。
4.如权利要求3所述的设备,其中该主加热源包括多个加热组件,这些加热组件被分组成多个同心加热区,各个同心加热区系经独立控制,且该一个或更多个脉冲加热组件被置于一个或更多个同心加热区内。
5.如权利要求3所述的设备,其中该一个或更多个脉冲加热组件被分组成一个或更多个方位角控制区。
6.如权利要求2所述的设备,还包括辅助加热源,其被配置以对该处理容积提供脉冲式能量,其中该脉冲式能量的频率、相位、或振幅为可调整。
7.如权利要求6所述的设备,其中该基板支撑件包括边缘环,其被配置以于靠近边缘区域处支撑基板,且该辅助加热源被配置将能量导向该边缘环。
8.如权利要求6所述的设备,其中该主加热源与该一个或更多个脉冲加热组件被置于该容积的第一侧上,且该辅助加热源被置于该处理容积的相对侧上,该主加热源与该一个或更多个脉冲加热组件被配置以将能量导向被处理的基板的背侧,且该辅助加热源被配置以将能量导向该基板的前侧。
9.一种用于处理基板的方法,其包括以下步骤:
放置基板在基板支撑件上,该基板支撑件被置于处理腔室的处理容积中;
旋转该基板;以及
通过将辐射能量导向该处理容积来加热该基板,其中该辐射能量的至少一部分是脉冲式能量,其频率由该基板的转速来决定。
10.如权利要求9所述的方法,其中加热该基板包括:
从主加热源将非脉冲式能量导向该处理容积;以及
从一个或更多个脉冲加热组件将脉冲式能量导向该处理容积。
11.如权利要求10所述的方法,其中该主加热源包括多个同心区,其各自可独立加以控制,并且该一个或更多个脉冲加热组件被分组成一个或更多个方位角控制区。
12.如权利要求10所述的方法,还包括:
测量该基板在多个位置的温度;以及
根据温度测量来调整该一个或更多个脉冲加热组件的频率、相位与振幅中至少一者。
13.如权利要求10所述的方法,还包括在加热该基板的同时从辅助加热源加热支撑该基板的边缘区域的边缘环,其中该辅助加热源被配置以对该处理容积提供脉冲式能量;
当该边缘环旋转时,测量该边缘环上不同位置的温度;以及
根据测量的边缘环温度,调整该辅助加热源的频率、相位与振幅中至少一者。
14.一种热处理腔室,其包括:
腔室主体,其具有由数个腔室壁、石英窗与反射板限定的处理容积,其中该石英窗与该反射板被置于该处理容积的相对侧上;
基板支撑件,其置于该处理容积中,其中该基板支撑件被配置以支持并旋转基板;
加热源,其置于该石英窗外部,并配置以将能量经由该石英窗导向该处理容积,其中该加热源包括多个加热组件,且这些加热组件中的至少一部分是被配置以对该处理容积提供脉冲式能量的脉冲加热组件;
传感器组件,其通过该反射板设置,并被配置以测量该处理容积中沿着不同半径位置的温度;以及
系统控制器,其被配置以调整来自该加热源的脉冲式能量的频率、相位与振幅中至少一者,
其中该加热源的所述多个加热组件被分组成多个同心区,且这些脉冲加热组件被分组成一个或更多个方位角控制区。
15.如权利要求14所述的热处理腔室,还包括辅助加热组件,其被配置以将脉冲式能量导向支持该基板的边缘环。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980115810.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造