[发明专利]接合结构以及电子器件有效
| 申请号： | 200980115918.8 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102017107A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 古泽彰男;酒谷茂昭;中村太一;松尾隆广 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B23K1/00;B23K1/19;B23K35/26;C22C12/00;H05K3/34;B23K101/40 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 吕静姝;杨暄 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接合 结构 以及 电子器件 | ||
1.一种接合结构，其对构成电子器件的电子元件和构成所述电子器件的电极进行接合，其特征在于，包括：
对所述电子元件和所述电极进行接合的钎焊层，该钎焊层含有0.2～6重量％的铜、0.02～0.2重量％的锗、以及93.8～99.78重量％的铋；
设置在所述钎焊层和所述电极以及所述电子元件中的至少一方之间的镍层；
设置在所述镍层和所述钎焊层之间的阻挡层，通过所述钎焊层接合所述电子元件和所述电极之后，所述阻挡层的平均厚度为0.5～4.5μm。
2.如权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述阻挡层含有从由银、金、钯、铝以及钛组成的组当中选择出的至少1种。
3.如权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述阻挡层的初始厚度为1～5μm。
4.如权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述钎焊层含有0.2～4重量％的铜。
5.如权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述钎焊层含有0.02～0.1重量％的锗。
6.如权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述电极含有铜。
7.如权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述电子元件为半导体元件。
8.如权利要求7所述的接合结构，其特征在于，所述半导体元件含有Si、SiC或者GaN。
9.如权利要求8所述的接合结构，其特征在于，所述电子器件为功率晶体管。
10.一种电子器件，其是通过含有钎焊层的接合部将电子元件接合在电极上而构成的，其特征在于，
所述钎焊层含有0.2～6重量％的铜、0.02～0.2重量％的锗、以及93.8～99.78重量％的铋，
所述接合部还包括：在所述钎焊层和所述电极以及所述电子元件中的至少一方之间的镍层，和所述镍层和所述钎焊层之间的阻挡层，通过所述钎焊层接合所述电子元件和所述电极之后，所述阻挡层的平均厚度为0.5～4.5μm。
11.如权利要求10所述的电子器件，其特征在于，所述阻挡层的初始厚度为1～5μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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