[发明专利]具有偏置和功率控制方面的放大器设计

权利要求书

1.一种放大器，其包含：

主电路，其包含多个晶体管，所述多个晶体管包含第一晶体管，所述主电路进一步包含AC耦合到所述主电路的输入节点的输入信号，所述输入节点耦合到所述第一晶体管，所述主电路进一步包含在所述主电路的输出节点处产生的输出信号；以及

复制品电路，其包含管匹配于所述主电路中的所述多个晶体管的复制品晶体管，所述复制品晶体管以与所述多个晶体管在所述主电路中彼此耦合相同的方式彼此耦合，所述复制品电路具有对应于所述主电路的所述输入节点和所述输出节点的输入节点和输出节点，所述复制品电路的所述输入节点耦合到所述复制品电路的所述输出节点。

2.根据权利要求1所述的放大器，所述主电路的所述多个晶体管具有为所述对应复制品晶体管的固定倍数的宽度。

3.根据权利要求1所述的放大器，所述放大器为用于发射器的驱动器放大器。

4.根据权利要求1所述的放大器，所述输入和输出信号为射频(RF)信号。

5.根据权利要求1所述的放大器，所述主电路包含第一推挽放大器电路，所述第一推挽放大器电路包含第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管。

6.根据权利要求5所述的放大器，所述第一晶体管为所述第一NMOS晶体管。

7.根据权利要求5所述的放大器，所述第一晶体管为所述第一PMOS晶体管。

8.根据权利要求7所述的放大器，所述主电路的所述输入信号耦合到所述第一NMOS晶体管的栅极和所述第一PMOS晶体管的栅极。

9.根据权利要求8所述的放大器，所述复制品电路的所述输出节点经由反馈模块而耦合到所述复制品电路的所述输入节点，所述反馈模块包含反馈放大器以用于调整第一复制品晶体管的偏置电压，以将所述复制品电路的所述输出节点处的电压驱动到参考电压。

10.根据权利要求9所述的放大器，其进一步包含电流偏置模块，所述第一NMOS晶体管的所述栅极耦合到所述电流偏置模块，所述电流偏置模块包含串联耦合到经二极管连接的第一镜射NMOS晶体管的电流源，所述第一NMOS晶体管的栅极偏置耦合到所述第一镜射NMOS晶体管的栅极。

11.根据权利要求10所述的放大器，所述第一镜射NMOS晶体管的所述栅极耦合到所述复制品电路中的对应于所述主电路中的所述第一NMOS晶体管的晶体管的栅极。

12.根据权利要求5所述的放大器，其进一步包含：

至少一个启用晶体管，其串联耦合到所述第一推挽放大器电路；所述至少一个启用晶体管经配置以响应于启用信号而选择性地接通所述第一推挽放大器电路。

13.根据权利要求12所述的放大器，所述至少一个启用晶体管包含串联连接到所述第一NMOS晶体管的NMOS晶体管和串联连接到所述第一PMOS晶体管的PMOS晶体管。

14.根据权利要求12所述的放大器，所述主电路包含多个子放大器电路，其中所述多个子放大器电路中的每一者经配置以选择性地接通或断开。

15.根据权利要求14所述的放大器，所述多个子放大器电路包含各自具有第一大小的第一多个子放大器电路和各自具有第二大小的第二多个子放大器电路，所述第二大小大于所述第一大小。

16.根据权利要求15所述的放大器，其中：

所述第一多个子放大器电路可配置以产生第一多个功率电平；且

所述第二多个子放大器电路可配置以产生第二多个功率电平，所述第二多个功率电平中的每一者高于所述第一多个功率电平中的每一者。

17.根据权利要求12所述的放大器，所述主电路包含多个推挽放大器电路，每一推挽放大器电路串联耦合到至少一个启用晶体管，所述多个至少一个启用晶体管中的每一者经配置以响应于选择性启用信号而选择性地接通所述多个推挽放大器电路中的每一者。

18.根据权利要求17所述的放大器，所述多个推挽放大器电路包含各自具有第一大小的第一多个推挽放大器电路和各自具有第二大小的第二多个推挽放大器电路，所述第二大小大于所述第一大小。