[发明专利]具有经共轴馈送的共轴射频馈给与多区交流加热器电源输送的等离子体反应器静电卡盘无效
申请号: | 200980116023.6 | 申请日: | 2009-05-04 |
公开(公告)号: | CN102017123A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 迈克尔·D·威尔沃思;戴维·帕拉加什维里;布赖恩·K·哈彻;亚历山大·M·帕特森;道格拉斯·A·小布赫伯格 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H05H1/34;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;王金宝 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 经共轴 馈送 射频 给与 交流 加热器 电源 输送 等离子体 反应器 静电 卡盘 | ||
1.一种用于等离子体反应腔室内的工件支撑座,包括:
(A)绝缘盘,具有工件支撑表面;
(B)导电板,位于所述绝缘盘下方,所述绝缘盘包含多个电机构以及多个热传媒通道;
(C)轴向移位共轴射频路径组件,位于所述导电板下方,且包括中心导体、接地的外侧导体以及隔离该中心导体与该外侧导体的管状绝缘体,由此所述绝缘盘、所述板以及所述共轴射频路径组件组成可动组件;
(D)举升伺服机构,耦接至所述共轴组件以进行轴向移位;
(F)多个导管,轴向地延伸通过所述中心导体并耦接至所述热传媒机构;
(G)多个电导体,轴向地延伸通过所述管状绝缘体且连接至所述电机构。
2.如权利要求1所述的工件支撑座,还包括挠性射频导体,连接至所述中心导体的底端,且能连接至射频电源。
3.如权利要求1所述的工件支撑座,其中所述热传媒机构包括位于所述工件支撑表面内的多个气流通道,所述多个导管包括气体供应器以及耦接至所述气流通道的多个回流导管。
4.如权利要求3所述的工件支撑座,其中所述热传媒机构包括多个冷却剂通道,其中所述多个导管还包括冷却剂供应器以及耦接至所述冷却剂通道的多个回流导管。
5.如权利要求3所述的工件支撑座,其中所述电机构包括卡盘电极、内同心加热组件及外同心加热组件,所述电导体包括连接至所述卡盘电极的直流供应导体、耦接至所述内加热组件的第一对交流导体、以及耦接至所述外加热组件的第二对交流导体。
6.如权利要求5所述的工件支撑座,其中所述电机构还包括位于所述工件支撑表面内的内径向温度传感器及外径向温度传感器,且其中所述电导体包括连接于所述内径向温度传感器的至少一个第一导体和连接于所述外径向温度传感器的至少一个第二导体。
7.如权利要求5所述的工件支撑座,还包括位于所述工作件支撑表面内的内径向温度传感器以及外径向温度传感器,以及耦接至所述内径向温度传感器及所述外径向温度传感器的多个光学导体,所述光学导体轴向地延伸通过所述共轴射频路径组件。
8.如权利要求7所述的工件支撑座,其中所述光学导体轴向地延伸通过所述管状绝缘体。
9.如权利要求1所述的工件支撑座,其中所述共轴路径组件的所述外侧导体在所述导电板下方终止与其电性绝缘。
10.如权利要求9所述的工件支撑座,其中所述电导体通过所述导电板,还包括多个绝缘套环绕位于所述导电板内的各个电导体。
11.一种等离子体反应器,包括:
腔室,具有侧壁、顶盖以及底板;
射频电源,包括射频产生器及射频阻抗匹配;
工件支撑座,位于所述腔室内,包括
(A)绝缘盘,具有工件支撑表面;
(B)导电板,位于所述绝缘盘下方,所述绝缘盘包含多个电机构以及多个热传媒通道;
(C)轴向移位共轴射频路径组件,位于所述导电板下方,且包括中心导体、接地的外侧导体以及隔离所述中心导体与所述外侧导体的管状绝缘体,所述中心导体具有接触所述导电板的顶端以及连接至所述射频电源的底端,由此所述绝缘盘、所述板以及所述共轴射频路径组件组成可动组件;
(D)举升伺服机构,耦接至所述共轴组件以进行轴向移位;
(F)多个导管,轴向地延伸通过所述中心导体并耦接至所述热传媒机构;
(G)多个电导体,轴向地延伸通过所述管状绝缘体且连接至所述电机构。
12.如权利要求11所述的等离子体反应器,还包括挠性射频导体,连接至所述中心导体的底端以及能连接至射频电源。
13.如权利要求11所述的等离子体反应器,其中所述热传媒机构包括位于所述工作件支撑表面内的多个气流通道,所述多个导管包括包括气体供应器以及耦接至所述气流通道的多个回流导管。
14.如权利要求13所述的等离子体反应器,其中所述热传媒机构包括多个冷却剂通道,其中所述多个导管还包括冷却剂供应器以及耦接至所述冷却剂通道的多个回流导管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造