[发明专利]高温超导体-层配置体

权利要求书

1.高温超导体-层配置体，其包括至少一种载体材料和由氧化材料构成的织构化缓冲层，该缓冲层使得高温超导体(HTSL)层的织构化生长成为可能，其特征在于，所述缓冲层含有至少一种形成均匀混合晶相的其它成分，该其它成分为(a)第一副族过渡金属(包括氧化物形式)和/或为(b)金属或金属氧化物，该金属或金属氧化物在退火温度≤1600摄氏度时与所述氧化缓冲材料至少形成部分熔体。

2.根据权利要求1的层配置体，其特征在于，所述过渡金属为铜和/或银。

3.根据权利要求1或2的层配置体，其特征在于，所述其它成分以基于所述缓冲层的总金属含量计最高至40原子数％的含量存在。

4.根据权利要求3的层配置体，其特征在于，所述其它成分以基于所述缓冲层的总金属含量计2-30原子数％的含量存在。

5.根据权利要求1-4任一项的层配置体，其特征在于，含有所述其它成分的缓冲层材料在≤1250摄氏度的退火温度下至少形成部分熔体。

6.根据权利要求1-5任一项的层配置体，其特征在于，容纳所述其它成分的缓冲层材料至少由选自如下组的材料构成：稀土金属氧化物，主族金属氧化物或过渡金属氧化物，每种情况下包括它们的二元、三元或更多元的氧化物，锆酸盐，铝酸盐，钛酸盐，锰酸盐，钌酸盐。

7.根据权利要求6的层配置体，其特征在于，容纳所述其它成分的缓冲层材料为二元或更多元的稀土金属氧化物，在该稀土金属氧化物中金属组成部分部分地或仅仅为稀土金属并且含有2种或更多种不同的稀土金属。

8.根据权利要求7的层配置体，其特征在于，容纳所述其它成分的缓冲层材料为通式为RE_2+xM_2+yO_z的稀土金属氧化物，-2≤x，y≤2，其中RE为一种或多种稀土金属，M为一种或多种二价、三价、四价或五价的金属，包括稀土金属。

9.根据权利要求8的层配置体，其特征在于，M为一种或多种选自如下组的金属：稀土金属、铪、锆。

10.根据权利要求8或9的层配置体，其特征在于，RE和/或M彼此独立地部分被过渡金属和/或主族金属取代，或者M为过渡金属或主族金属或他们的组合。

11.根据权利要求1-10任一项的层配置体，其特征在于，所述含有其它成分的缓冲层的孔隙率≤25％。

12.根据权利要求1-11任一项的层配置体，其特征在于，所述含有其它成分的缓冲层具有≤1.8nm的RMS-粗糙度。

13.根据权利要求1-12任一项的层配置体，其特征在于，所述缓冲层具有多个层，并且所述含有其它成分的混合晶相缓冲层布置于载体材料上。

14.根据权利要求1-13任一项的层配置体，其特征在于，所述缓冲层具有多个层，并且所述含有其它成分的混合晶相缓冲层形成邻接高温超导体层的层。

15.根据权利要求1-14任一项的层配置体，其特征在于，布置于载体材料与HTSL-层之间的缓冲层仅仅具有这样的层，所述层具有另一种形成均匀混合晶相的其它成分。

16.根据权利要求1-15任一项的层配置体，其特征在于，所述缓冲层仅仅以单层形式构成。

17.制造尤其是根据权利要求1-16任一项的高温超导体层配置体的方法，其中在载体材料上施加织构化的缓冲层，其使得高温超导体的织构化生长成为可能，其特征在于，将至少一种其它的形成均匀的混合晶相的成分引入到所述缓冲层材料中，该至少一种其它的成分(a)含有至少一种第一副族过渡金属(包括氧化物形式)和/或该成分(b)为金属或金属氧化物，该金属或金属氧化物在退火温度≤1600摄氏度时与所述缓冲层材料至少形成部分熔体。

18.根据权利要求17的方法，其特征在于，作为过渡金属使用铜和/或银。

19.根据权利要求17或18的方法，其特征在于，以基于所述缓冲层的总金属含量计最高至40原子数％的含量添加所述至少一种其它成分。