[发明专利]新型含磺酸基链段化嵌段共聚物聚合物及其用途、新型嵌段共聚物聚合物的制造方法无效
申请号: | 200980116516.X | 申请日: | 2009-05-08 |
公开(公告)号: | CN102015830A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 北村幸太;市村俊介;坂口佳充;秋友由子;西本晃;山下全广;佐佐井孝介;松村贵弘 | 申请(专利权)人: | 东洋纺织株式会社 |
主分类号: | C08G65/40 | 分类号: | C08G65/40;C08G75/20;C08L71/10;C08L81/06;H01B1/06;H01M8/02;H01M8/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 含磺酸基链段化嵌段 共聚物 聚合物 及其 用途 制造 方法 | ||
1.一种嵌段共聚聚合物,其特征在于,其是分子中分别具有一个以上的亲水性链段和疏水性链段的嵌段共聚聚合物,为下述化学式1所示的结构,对所述嵌段共聚聚合物的以N-甲基-2-吡咯烷酮为溶剂的0.5g/dL的溶液在30℃下测定得到的对数粘度在0.5~5.0dL/g的范围,
(化学式1)
式中,X表示H或1价的阳离子,Y表示磺酰基、或羰基,Z及Z’分别独立地表示O或S原子中的任一者,W表示选自苯之间的直接键合、磺酰基、羰基所组成的组中的1种以上基团,Ar1及Ar2分别独立地表示2价的芳香族基团,n及m分别独立地表示2~100的整数。
2.根据权利要求1所述的含磺酸基嵌段共聚聚合物,其特征在于,Ar2为下述化学式2所示结构来表示的结构。
(化学式2)
3.根据权利要求1所述的含磺酸基嵌段共聚聚合物,其特征在于,Ar1为上述化学式2所示结构来表示的结构。
4.根据权利要求1所述的含磺酸基嵌段共聚聚合物,其特征在于,Ar1及Ar2均为上述化学式2所示结构来表示的结构。
5.根据权利要求1~4所述的含磺酸基嵌段共聚聚合物,其特征在于,Z及Z’中的至少任一者为O原子。
6.根据权利要求1~4所述的含磺酸基嵌段共聚聚合物,其特征在于,Z及Z’均为O原子。
7.根据权利要求1~6所述的含磺酸基嵌段共聚聚合物,其特征在于,W为苯环之间的直接键合。
8.根据权利要求1~7所述的含磺酸基链段化嵌段共聚聚合物,其特征在于,n在10~70的范围。
9.根据权利要求8所述的含磺酸基链段化嵌段共聚聚合物,其特征在于,m在3以上且不到10的范围。
10.根据权利要求9所述的含磺酸基链段化嵌段共聚聚合物,其特征在于,m/n在0.4~1.0的范围。
11.根据权利要求8所述的含磺酸基链段化嵌段共聚聚合物,其特征在于,m在10以上且不到70的范围。
12.根据权利要求11所述的含磺酸基链段化嵌段共聚聚合物,其特征在于,m/n在0.4~1.5的范围。
13.一种嵌段共聚聚合物的合成法,其特征在于,其是使亲水性低聚物、疏水性低聚物及分子中至少具有2个以上卤素的芳香族系增链剂反应来合成嵌段共聚物聚合物的方法,其中,疏水性低聚物的分子中含有下述化学式7所示的结构,
(化学式7)
式中,Z分别独立地表示O或S原子中的任一者,Ar1表示2价的芳香族基团,n表示2~100的整数;
亲水性低聚物的分子中含有下述化学式8所示的结构,
(化学式8)
式中,X表示H或1价的阳离子,Y表示磺酰基、或羰基,Z表示O或S原子中的任一者,Ar2表示2价的芳香族基团,m表示2~100的整数。
14.根据权利要求13所述的嵌段共聚物聚合物的合成法,其特征在于,亲水性低聚物及疏水性低聚物的两末端分别为OH基。
15.根据权利要求13所述的嵌段共聚物聚合物的合成法,其特征在于,亲水性低聚物及疏水性低聚物的两末端分别为SH基。
16.根据权利要求13~15所述的嵌段共聚物聚合物的合成法,其特征在于,芳香族系增链剂的卤素为氟。
17.根据权利要求16所述的嵌段共聚物聚合物的合成法,其特征在于,芳香族系增链剂为全氟化合物,其中,可含有选自氰基、磺酰基、亚磺酰基、羰基所组成的组中的基团。
18.根据权利要求17所述的嵌段共聚聚合物的合成法,其特征在于,芳香族系增链剂为六氟苯、十氟联苯、十氟二苯甲酮、十氟二苯基砜、五氟苯腈中的任一者、或它们的混合物。
19.根据权利要求13~18所述的嵌段共聚物聚合物的合成法,其特征在于,在反应溶液的固体成分浓度为1~25重量%的反应溶液中合成。
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