[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型半导体基板；

第二导电类型第一区域，形成于半导体基板的第一主平面的表面上的外围部分中；

第二导电类型阱区域，被第一区域包围着并且形成于半导体基板的第一主平面的表层上以便与第一区域隔离开；

第一导电类型发射极区域，形成于阱区域的表层上；

栅极电极，经由栅极绝缘膜而形成于阱区域上，阱区域被夹在发射极区域和半导体基板之间；

夹层绝缘膜，其表面包括栅极电极的表面且被涂敷；

发射极电极，形成于夹层绝缘膜上以便接触发射极区域和阱区域；

钝化膜，形成于发射极电极、第一区域和半导体基板上；

集电极层，形成于半导体基板的第二主平面的表层上；

第二导电类型隔离层，形成于接触第一主平面和第二主平面的半导体基板的侧壁的表层上，以便接触第一区域和集电极层；以及

集电极电极，形成于集电极层上，其中，

半导体基板的侧壁是由第一侧壁与第二侧壁构成的，第一侧壁垂直地接触第一主平面并且接触第一区域，第二侧壁被连接到第一侧壁和第二主平面并且与第一侧壁形成90度或更大的角度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

第一侧壁的表面是通过切割或通过激光而切割出的切割表面，并且

第二侧壁的表面是用切割刀片处理过的处理表面。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

用切割刀片对第二侧壁的表面执行切割工作，以形成V沟槽、倒梯形沟槽或U沟槽，并且

通过蚀刻除去因切割工作而形成的处理形变。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

集电极电极延伸到第一侧壁和第二侧壁上。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

接触第一主平面和第二侧壁的第一侧壁的连接线之间的距离是大于或等于10微米且小于或等于150微米。

6.一种用于制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

在晶片的第一主平面的表层上以及在晶片上所形成的半导体器件的外围部分中，形成第二导电类型第一区域；

用切割刀片从晶片的第二主平面到第一主平面形成到达第一区域的沟槽；

通过蚀刻除去沟槽上所形成的处理形变；

在沟槽的表层上形成第二导电类型隔离层并且在第二主平面的表层上形成第二导电类型集电极层，使得隔离层和集电极层连接起来；

在集电极层上形成集电极电极；以及

在位于第一主平面和每个沟槽底部之间的第一区域中，通过切割或通过激光，相对于第一主平面大致垂直地将晶片切割成多个芯片。

7.如权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

第一区域的深度是大于或等于30微米且小于或等于170微米。

8.如权利要求6或7所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

沟槽底部和第一主平面之间的距离是大于或等于10微米且小于或等于150微米。

9.如权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

用于形成沟槽的切割刀片的形状是V形、倒梯形或U形。

10.如权利要求6或8所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，集电极电极是朝着沟槽的内壁延伸的。

11.如权利要求6或8所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，沟槽的处理形变的深度是大于或等于1微米且小于或等于20微米。

12.如权利要求6或11所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，通过蚀刻而除去沟槽的处理形变时的深度是大于或等于3微米且小于或等于50微米。

13.如权利要求6或12所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，通过酸蚀刻或干法蚀刻而执行蚀刻。

14.如权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，与将要成为芯片的区域中的沟槽的深度相比，晶片中远离将要成为芯片的区域的外围部分中的沟槽的深度要更浅。