[发明专利]在使用多个光谱的化学机械抛光中的终点检测有效
申请号: | 200980116558.3 | 申请日: | 2009-04-29 |
公开(公告)号: | CN102017094A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | J·钱;S·瀚达帕尼;H·Q·李;T·H·奥斯特赫尔德;Z·朱 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 光谱 化学 机械抛光 中的 终点 检测 | ||
1.一种计算机实施的方法,包含:
用实地光学监测系统获得至少一个当前光谱,所述当前光谱为从基板反射的光的光谱,所述基板具有经受抛光的最外层和至少一个下面层;
将所述当前光谱与多个不同的参考光谱进行比较,所述多个参考光谱代表从基板反射的光的光谱,所述基板具有厚度相同的最外层和厚度不同的下面层;和
基于所述比较来确定对于具有经受抛光的所述最外层的所述基板来说是否已到达抛光终点。
2.根据权利要求1所述的方法,其中确定是否已到达所述抛光终点包括计算所述当前光谱与所述参考光谱之间的差值。
3.根据权利要求2所述的方法,其中确定是否已到达所述抛光终点包括确定所述差值中的至少一个差值是否已达到阈值。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述差值中的所述至少一个差值为所述差值中的最小差值。
5.根据权利要求3所述的方法,其中所述差值中的所述至少一个差值为所述差值中的中等差值。
6.根据权利要求2所述的方法,其中确定是否已到达所述抛光终点包括当所述差值中的至少一个差值已达到阈值时激活终点检测算法。
7.根据权利要求6所述的方法,其中确定是否已到达所述抛光终点包括产生差值迹线,所述差值迹线包括多个点,每个点代表为压板的旋转计算的所述差值中的最小差值。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述终点检测算法包括确定所述差值迹线是否已达到最小值。
9.根据权利要求8所述的方法,其中确定所述差值迹线是否已达到最小值包括计算所述差值迹线的斜率。
10.根据权利要求7所述的方法,其中所述终点检测算法包括确定所述差值迹线是否已升至所述最小值以上的阈值。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述参考光谱是凭经验来产生。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述参考光谱是根据理论来产生。
13.根据权利要求1所述的方法,进一步包含在不同时间获得多个当前光谱。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述多个当前光谱包括来自横跨所述基板的所述实地光学监测系统的多个扫描的一连串当前光谱。
15.根据权利要求13所述的方法,其中所述多个当前光谱包括来自横跨所述基板的所述实地光学监测系统的相同扫描的多个当前光谱。
16.根据权利要求14所述的方法,进一步包含将来自所述相同扫描的所述多个当前光谱与所述多个参考光谱进行比较以产生所述当前光谱与所述参考光谱之间的多个差值。
17.根据权利要求15所述的方法,进一步包含确定所述多个差值中的最小差值并且使用所述多个差值中的所述最小差值来确定是否已到达抛光终点。
18.一种计算机程序产品,其编码在有形的程序载体上,所述计算机程序产品可操作以使数据处理设备执行包含以下的操作:
用实地光学监测系统获得至少一个当前光谱,所述当前光谱为从基板反射的光的光谱,所述基板具有经受抛光的最外层和至少一个下面层;
将所述当前光谱与多个不同的参考光谱进行比较,所述多个参考光谱代表从基板反射的光的光谱,所述基板具有厚度相同的最外层和厚度不同的下面层;和
基于所述比较来确定对于具有经受抛光的所述最外层的所述基板来说是否已到达抛光终点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造