[发明专利]预处理金属氟化物及氟化物晶体的制造方法无效
| 申请号： | 200980116804.5 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102026914A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 石津澄人;关屋章;福田健太郎;须山敏尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | C01B9/08 | 分类号： | C01B9/08;C30B15/00;C30B15/08;C30B29/12;G02B1/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 预处理 金属 氟化物 晶体 制造 方法 | ||
1.一种预处理金属氟化物的制造方法，其特征在于，在碳酰氟的共存下对金属氟化物进行加热。
2.根据权利要求1所述的预处理金属氟化物的制造方法，其特征在于，加热温度为300K以上且1780K以下。
3.根据权利要求1所述的预处理金属氟化物的制造方法，其特征在于，共存的碳酰氟的量相对于1mol金属氟化物为1/100mol以上。
4.一种氟化物晶体的制造方法，其特征在于，在碳酰氟的存在下将金属氟化物加热熔融而形成熔体，接着从该熔体生长晶体。
5.一种氟化物晶体的制造方法，其特征在于，其包括：在碳酰氟的共存下对金属氟化物进行加热从而获得预处理金属氟化物的工序，和从该预处理金属氟化物生长晶体的晶体生长工序。
6.根据权利要求5所述的氟化物晶体的制造方法，其特征在于，在获得预处理金属氟化物的工序中，加热温度为330K以上且1780K以下。
7.根据权利要求5所述的氟化物晶体的制造方法，其特征在于，在获得预处理金属氟化物的工序中，共存的碳酰氟的量相对于1mol金属氟化物为1/100mol以上。
8.根据权利要求5所述的氟化物晶体的制造方法，晶体生长工序中的生长采用通过使晶种与预处理金属氟化物的熔体上端接触并提拉晶种而使晶体生长的熔体提拉法、或者通过使生长轴与预处理金属氟化物的熔体下端接触并下拉生长轴而使晶体生长的熔体下拉法。
9.根据权利要求8所述的氟化物晶体的制造方法，其特征在于，晶体生长工序中，在气体去除剂的共存下从熔体生长晶体。
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