[发明专利]测试具有易受由偏置温度不稳定性所造成的阈值电压偏移影响的场效应晶体管的存储器装置

权利要求书

1.一种用于测试存储器装置的方法，其包含：

将用于所述存储器装置的供应电压设定于第一供应电压电平；

响应于设定所述供应电压在所述第一供应电压电平下将测试数据写入到所述存储器装置；

响应于写入所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压减小到在所述第一供应电压电平以下的第二供应电压电平；

响应于减小所述供应电压在所述第二供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据；

响应于读取所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压增加到在所述第二供应电压电平以上的第三供应电压电平；

响应于增加所述供应电压在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据；以及

响应于在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据，将在所述第一供应电压电平下写入到所述存储器装置的所述测试数据与在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取的所述测试数据进行比较。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一供应电压电平为用于操作所述存储器装置的指定电压电平。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三供应电压电平为用于操作所述存储器装置的指定电压电平。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一供应电压电平及所述第三供应电压电平中的每一者均为用于操作所述存储器装置的指定电压电平。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二供应电压电平在用于操作所述存储器装置的最小指定电压电平以下。

6.根据权利要求1所述的方法，其包含：

响应于比较所述测试数据确定所述存储器装置为可接受的还是不可接受的。

7.根据权利要求6所述的方法，其包含：

当比较所述测试数据产生有利结果时将所述存储器装置识别为可接受的；以及

当比较所述测试数据产生不利结果时将所述存储器装置识别为不可接受的。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二供应电压电平下从所述存储器装置读

取所述测试数据包含：

在不识别所述测试数据的情况下在所述第二供应电压电平下从所述存储器装置存取所述测试数据。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置为静态随机存取存储器(SRAM)装置。

10.一种用于测试存储器装置的方法，其包含：

将用于所述存储器装置的供应电压设定于指定供应电压；

响应于设定所述供应电压在所述指定供应电压下将测试数据写入到所述存储器装置；

响应于写入所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压减小到在最小指定供应电压以下的电压电平；

响应于减小所述供应电压在所述最小指定供应电压以下的所述电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据；

响应于读取所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压增加回到所述指定供应电压；

响应于增加所述供应电压在所述指定供应电压下从所述存储器装置读取所述测试数据；

响应于在所述最小指定供应电压下从所述存储器装置读取所述测试数据，将在所述指定供应电压下写入到所述存储器装置的所述测试数据与在所述指定供应电压下从所述存储器装置读取的所述测试数据进行比较。

11.根据权利要求10所述的方法，其包含：

响应于比较所述测试数据确定所述存储器装置为可接受的还是不可接受的。

12.根据权利要求11所述的方法，其包含：

当比较所述测试数据产生有利结果时将所述存储器装置识别为可接受的；以及

当比较所述测试数据产生不利结果时将所述存储器装置识别为不可接受的。

13.根据权利要求10所述的方法，其中在第二供应电压电平下从所述存储器装置读取

所述测试数据包含：

在不识别所述测试数据的情况下在所述最小指定供应电压以下的所述电压电平下从所述存储器装置存取所述测试数据。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述存储器装置为静态随机存取存储器(SRAM)装置。