[发明专利]用于电子器件的化合物有效

专利信息
申请号: 200980116960.1 申请日: 2009-03-05
公开(公告)号: CN102026958A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 克里斯托夫·普夫卢姆;阿尔内·比辛;埃米尔·侯赛因·帕勒姆;罗科·福特;霍尔格·海尔;菲利普·施特塞尔 申请(专利权)人: 默克专利有限公司
主分类号: C07C211/61 分类号: C07C211/61;C09K11/06
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 张爽;樊卫民
地址: 德国达*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 电子器件 化合物
【说明书】:

技术领域

发明描述了新颖的化合物和其在电子器件中的用途。

背景技术

有机电致发光器件的一般结构例如描述在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中。然而,这些器件仍存在相当大的需要迫切改进的问题:

1.效率仍然很低,特别是在发荧光的OLED情况下,并且应该被改进。

2.仍然需要改进操作寿命,尤其是在发蓝色光的情况下。

3.工作电压相当高,特别是在发荧光的OLED情况下,并且因此应进一步被降低以改进功率效率。这特别是对于移动式应用是至关重要的。在这方面希望进一步改进,特别是在电荷传输材料的情况下。

4.在现有技术的空穴传递材料的情况下,电压取决于传输层的层厚度。实际上,相对厚的空穴传输层通常是理想的。然而,利用现有技术的材料由于伴生的电压增加几乎不可能实现该目的。

5.在现有技术的空穴传递材料中,通常存在可加工性的问题,因为这些材料在蒸汽沉积源的边缘处结晶出来,并因此阻塞了所述蒸汽沉积源。因此,这种类型的材料仅能够在具有增加的技术复杂性的大规模生产中使用。

对于空穴注入和传输材料最接近的现有技术是WO 06/100896和WO 06/122630中被一个或二个二芳基氨基基团取代的顺式和反式茚并芴衍生物。尽管取代的茚并芴衍生物通常也包括在其中,然而只有具有未取代的茚并芴骨架的茚并芴被明确地公开。没有公开具有取代茚并芴结构的例子,并且特别是没有公开取代基在该位置处导致特别良好效果的取代位置和导致改进的取代基。特别是仅仅公开了未取代茚并芴是特别优选的。然而,已经发现一经在空穴注入或空穴传输层中使用,后者导致高的工作电压,进一步意味着该类型的材料经常存在问题,因为它们由于结晶而阻塞蒸汽沉积源。

发明内容

令人惊奇地,现在已经发现本发明中具有在茚并芴骨架的特定位置处被取代的一个或二个二芳基氨基取代基的茚并芴衍生物具有明显的改进。如果在茚并芴骨架中的特定位置处的单个C原子被氮替代,同样实现了改进。与相应的未取代化合物相比较,这些化合物在具有不变的良好的效率和寿命的同时,能够减少工作电压。因此,本发明涉及这些化合物和其在OLED中的用途。

因此,本发明涉及通式(1)的化合物:

通式(1)

其中以下适用于使用的符号和标记:

Y在每次出现时相同或者不同地是B、N、P、P=O、PF2、C=O、O、S、S=O或SO2

Ar在每次出现时相同或者不同地是具有5至40个芳环原子的芳族或杂芳族环体系,它们可被一个或多个基团R1取代;

X在每次出现时相同或者不同地是选自如下的基团:B(R1)、C(R1)2、-CR1=CR1-、-CR1=N-、Si(R1)2、C=O、C=NR1、C=C(R1)2、O、S、SO2、N(R1)、P(=O)R1或两个、三个或四个这些基团的组合;

Z,如果基团X键接于该基团Z,是C,或如果没有基团X键接于该基团Z,则在每次出现时相同或者不同地是CR或N;

W在每次出现时相同或者不同地是CH或N;

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