[发明专利]电路模块及其制造方法有效
申请号: | 200980117248.3 | 申请日: | 2009-05-11 |
公开(公告)号: | CN102027585A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | P·帕姆;R·图奥米宁;A·伊赫拉 | 申请(专利权)人: | 伊姆贝拉电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/538 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种用来制造电路模块的方法,该方法包括:
采用导体薄片(12),
在导体薄片(12)中制造接触开口(8),用来制造接触部件,
采用包括接触区域(7)的元件(6),接触区域的材料包括第一金属,
通过聚合体层(25)将元件(6)接附到导体薄片(12),
制造围绕接附到导体薄片(12)的元件(6)的绝缘层(1),
以每个接触孔(18,28)和对应接触区域(7)之间的接触表面面积(ACONT1)小于接触区域(7)的表面面积(APAD)的方式,在接触区域(7)的位置处的聚合体层(25)中制造接触孔(18,28),并且
至少在接触孔(18、28)中的接触区域(7)的表面上生长中间层(2),中间层(2)包括至少第三金属,并且
生长第二金属的层(32),该层(32)和中间层(2)的表面相接触,并且沿着制成的导体(22)延伸,并且
通过图案化导体薄片(12)形成导体(22),并且如果需要还图案化导体薄片(12)表面上的中间层(2)和/或第二金属的层(32)。
2.根据权利要求1的方法,其中,
在元件(6)接附之前,制造接触开口(8),
元件(6)接附到具有接触开口的导体薄片(12),并且
在元件(6)接附之后,穿过接触开口(8)打开接触孔(18,28)。
3.根据权利要求2的方法,其中,使用二氧化碳激光来穿过该接触开口(8)打开接触孔(18,28),其中导体薄片(12)用做掩膜。
4.根据权利要求1-3的任一个的方法,其中,第一金属是铝,第二金属是铜,并且第三金属包括金属锌和镍的至少其中一个。
5.根据权利要求1-3的任一个的方法,其中,第一金属是金,第二金属是铜,并且第三金属是镍。
6.根据权利要求1-4的任一个的方法,其中,中间层(2)包括含锌的层(33),其使用双重锌酸盐工艺制造。
7.根据权利要求1-6的任一个的方法,其中,中间层(2)包括含镍层(34),其使用化学镍生长方法制造。
8.根据权利要求1-7的任一个的方法,其中,中间层(2)包括含铜层(35),其使用化学铜生长方法制造。
9.根据权利要求1-8的任一个的方法,其中,以以下方式制造绝缘层(11):
采用包括纤维材料(19)和预硬化聚合体的至少一个绝缘片(11),
在包含纤维材料(19)的绝缘片(11)中制造用于元件(6)的孔,
一个或者多个绝缘片(11)和导体薄片以及相关结构层压在一起。
10.根据权利要求1-9的任一个的方法,其中,元件(6)所接附到的导体薄片(12)的表面包括均匀的绝缘层(13)。
11.根据权利要求1-10的任一个的方法,其中,在元件(6)和导体薄片(12)之间布置隔离片(15)。
12.根据权利要求1-11的任一个的方法,其中,除了元件(6),在电路模块中还以下面的方式定位至少一个其它元件(16):在聚合体层(25)的至少一个特性的情况下,第一和第二元件的接附手段互相不同。
13.根据权利要求1-12的任一个的方法,其中,接附的元件(6)是无凸块元件。
14.一种电路模块,包括:
绝缘层(1),
位于绝缘层(1)内部的至少一个元件(6),包括接触区域(7),接触区域的材料包括第一金属,
位于绝缘层(1)表面上的导体(22),包括至少第一层(12)和第二层(32),方式是至少第二层(32)包括第二金属,并且
用于在接触区域(7)和导体(22)之间形成电接触的接触部件,该接触部件包括位于接触区域(7)的材料的表面上的中间层(2),该中间层包括第三金属,
其中第一、第二和第三金属是不同的金属,并且
中间层(2)和接触区域(7)之间的接触表面面积(ACONT1)小于接触区域(7)的表面面积(APAD)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造