[发明专利]电路模块及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200980117248.3 申请日: 2009-05-11
公开(公告)号: CN102027585A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: P·帕姆;R·图奥米宁;A·伊赫拉 申请(专利权)人: 伊姆贝拉电子有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/538
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇
地址: 芬兰*** 国省代码: 芬兰;FI
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摘要:
搜索关键词: 电路 模块 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用来制造电路模块的方法,该方法包括:

采用导体薄片(12),

在导体薄片(12)中制造接触开口(8),用来制造接触部件,

采用包括接触区域(7)的元件(6),接触区域的材料包括第一金属,

通过聚合体层(25)将元件(6)接附到导体薄片(12),

制造围绕接附到导体薄片(12)的元件(6)的绝缘层(1),

以每个接触孔(18,28)和对应接触区域(7)之间的接触表面面积(ACONT1)小于接触区域(7)的表面面积(APAD)的方式,在接触区域(7)的位置处的聚合体层(25)中制造接触孔(18,28),并且

至少在接触孔(18、28)中的接触区域(7)的表面上生长中间层(2),中间层(2)包括至少第三金属,并且

生长第二金属的层(32),该层(32)和中间层(2)的表面相接触,并且沿着制成的导体(22)延伸,并且

通过图案化导体薄片(12)形成导体(22),并且如果需要还图案化导体薄片(12)表面上的中间层(2)和/或第二金属的层(32)。

2.根据权利要求1的方法,其中,

在元件(6)接附之前,制造接触开口(8),

元件(6)接附到具有接触开口的导体薄片(12),并且

在元件(6)接附之后,穿过接触开口(8)打开接触孔(18,28)。

3.根据权利要求2的方法,其中,使用二氧化碳激光来穿过该接触开口(8)打开接触孔(18,28),其中导体薄片(12)用做掩膜。

4.根据权利要求1-3的任一个的方法,其中,第一金属是铝,第二金属是铜,并且第三金属包括金属锌和镍的至少其中一个。

5.根据权利要求1-3的任一个的方法,其中,第一金属是金,第二金属是铜,并且第三金属是镍。

6.根据权利要求1-4的任一个的方法,其中,中间层(2)包括含锌的层(33),其使用双重锌酸盐工艺制造。

7.根据权利要求1-6的任一个的方法,其中,中间层(2)包括含镍层(34),其使用化学镍生长方法制造。

8.根据权利要求1-7的任一个的方法,其中,中间层(2)包括含铜层(35),其使用化学铜生长方法制造。

9.根据权利要求1-8的任一个的方法,其中,以以下方式制造绝缘层(11):

采用包括纤维材料(19)和预硬化聚合体的至少一个绝缘片(11),

在包含纤维材料(19)的绝缘片(11)中制造用于元件(6)的孔,

一个或者多个绝缘片(11)和导体薄片以及相关结构层压在一起。

10.根据权利要求1-9的任一个的方法,其中,元件(6)所接附到的导体薄片(12)的表面包括均匀的绝缘层(13)。

11.根据权利要求1-10的任一个的方法,其中,在元件(6)和导体薄片(12)之间布置隔离片(15)。

12.根据权利要求1-11的任一个的方法,其中,除了元件(6),在电路模块中还以下面的方式定位至少一个其它元件(16):在聚合体层(25)的至少一个特性的情况下,第一和第二元件的接附手段互相不同。

13.根据权利要求1-12的任一个的方法,其中,接附的元件(6)是无凸块元件。

14.一种电路模块,包括:

绝缘层(1),

位于绝缘层(1)内部的至少一个元件(6),包括接触区域(7),接触区域的材料包括第一金属,

位于绝缘层(1)表面上的导体(22),包括至少第一层(12)和第二层(32),方式是至少第二层(32)包括第二金属,并且

用于在接触区域(7)和导体(22)之间形成电接触的接触部件,该接触部件包括位于接触区域(7)的材料的表面上的中间层(2),该中间层包括第三金属,

其中第一、第二和第三金属是不同的金属,并且

中间层(2)和接触区域(7)之间的接触表面面积(ACONT1)小于接触区域(7)的表面面积(APAD)。

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