[发明专利]带有氧化物层的基体及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200980117258.7 申请日: 2009-05-08
公开(公告)号: CN102026770A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 蛭间武彦;冈东健;秋田阳介;户丸善宽 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: B23K26/36 分类号: B23K26/36;B23K26/40;G02F1/1343;H01J9/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 带有 氧化物 基体 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种带有图案化的氧化物层的基体的制造方法,包括:

在基体上依次形成显示透明导电性的氧化物层、金属层,

从金属层的外表面侧向金属层照射脉冲激光,从而除去脉冲激光照射部位的金属层和氧化物层,所述脉冲激光的能量密度为0.3~10J/cm2、重复频率为1~100kHz、脉冲宽度为1ns~1μs,和

通过腐蚀除去金属层。

2.如权利要求1所述的带有氧化物层的基体的制造方法,其中,脉冲激光的波长为1047~1064nm。

3.如权利要求1或2所述的带有氧化物层的基体的制造方法,其中,一次脉冲激光照射的照射部位面积为1mm2以上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的带有氧化物层的基体的制造方法,其中,每发射一次脉冲激光后均改变照射部位。

5.如权利要求1至4中任一项所述的带有氧化物层的基体的制造方法,其中,以15000mm2/s以上的照射速度照射脉冲激光。

6.如权利要求1至5中任一项所述的带有氧化物层的基体的制造方法,其中,氧化物层为氧化锡或掺锡氧化铟。

7.如权利要求1至6中任一项所述的带有氧化物层的基体的制造方法,其中,氧化物层的膜厚为10nm~1μm。

8.如权利要求1至7中任一项所述的带有氧化物层的基体的制造方法,其中,金属层由选自由Ag、Al、Co、Cr、Cu、Fe、Mo、Ni、Sn、Zn和V组成的组中的至少一种以上金属构成。

9.如权利要求1至8中任一项所述的带有氧化物层的基体的制造方法,其中,金属层由非磁性金属构成。

10.如权利要求1至9中任一项所述的带有氧化物层的基体的制造方法,其中,金属层的膜厚为3~100nm。

11.通过权利要求1至10中任一项所述的带有氧化物层的基体的制造方法制造的带有氧化物层的基体。

12.一种电子器件,其中,使用权利要求11所述的带有氧化物层的基体的氧化物层作为电极而形成。

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