[发明专利]传感器装置

权利要求书

1.一种传感器装置(1)，具有

多个相叠布置的传感器层(2)，这些传感器层(2)分别由传感器元件(3)构成，

其中在每个传感器层(2)中通过传感器元件以传感方式检测基函数(BF)的系数(c)，

其中传感器层(2)的传感器元件(3)被固定布线并且分别直接提供测量值，该测量值的大小对应于基函数(BF)的系数。

2.根据权利要求1所述的传感器装置，

其中基函数(BF)是小波基函数。

3.根据权利要求1或2之一所述的传感器装置，

其中传感器装置(1)提供落到最上方传感器层(2-1)的表面上的辐射(S)的图像记录。

4.根据权利要求3所述的传感器装置，

其中传感器装置(1)提供对电磁辐射、X光辐射、Gamma辐射或者粒子辐射的图像记录。

5.根据权利要求4所述的传感器装置，

其中传感器层(2-i)的分辨频率(f_A)随着从表面出发的传感器层的深度增加而减小，并且传感器层(2-i)的分辨波长(λ_A)随着从表面出发的传感器层的深度增加而提高。

6.根据权利要求5所述的传感器装置，

其中位于传感器层(2-i)下方的另一传感器层(2-i+1)的分辨频率(f_A)分别为位于其上的传感器层的分辨频率的一半。

7.根据权利要求2-6之一所述的传感器装置，

其中小波基函数是

Haar小波基函数、

Coiflet小波基函数、

Gabor小波基函数、

Daubechies小波基函数、

Johnston-Barnard小波基函数、或者

双正交样条小波基函数。

8.根据权利要求1-7之一所述的传感器装置，

其中传感器元件(3)具有CCD(Charge Couple Device，电荷耦合器件)传感器元件和

CMOS(Complimentary Metal Oxid Semiconductor，互补金属氧化物半导体)传感器元件。

9.根据权利要求1-8之一所述的传感器装置，

其中传感器层(2)由辐射能穿透的材料构成。

10.根据权利要求1-9之一所述的传感器装置，

其中传感器装置(1)的总记录时间对应于具有最大分辨频率和具有最小分辨波长的最上方传感器层(2-1)的最小曝光持续时间。

11.根据权利要求10所述的传感器装置，

其中传感器层(2-i)的最小曝光持续时间与相应传感器层(2-i)的传感器元件(3-i)的记录面积成反比。

12.根据权利要求11所述的传感器装置，

其中传感器层(2-i)的最小曝光持续时间随着从传感器装置(1)的表面出发的传感器层的深度增加而成指数地减少。

13.根据权利要求12所述的传感器装置，

其中传感器层(2)的传感器元件(3)的记录面积随着从传感器装置(1)的表面出发的传感器层的深度增加而成指数地增加。

14.根据权利要求1-13之一所述的传感器装置，

其中传感器装置(1)在分辨率为2^N个像素的情况下具有N个相叠布置的传感器层(2)。

15.一种具有根据权利要去1-14之一所述的传感器装置(1)的图像记录设备(5)。

16.根据权利要求15所述的图像记录设备，

其中图像记录设备(5)还具有信号处理装置(6)，尤其是信号压缩单元、信号滤波单元以及信号噪声抑制单元。

17.根据权利要求15或16之一所述的图像记录设备，

其中以传感方式所检测的基函数(BF)的系数(c)被暂存在数据存储器中。

18.根据权利要求15-17之一所述的图像记录设备，

其中计算单元(7)被设置用于计算小波逆变换，在计算单元(7)上连接有屏幕(8)。