[发明专利]在用于光伏电池的导体中使用的玻璃组合物

权利要求书

1.一种组合物，所述组合物包含：

(a)一种或多种导电材料；

(b)一种或多种玻璃料，其中所述一种或多种玻璃料包含按所述玻璃料的重量％计：

10-30重量％的SiO₂，

40-70重量％的PbO，

10-30重量％的组分，所述组分选自由下列组成的组：ZnO、CaO、以及它们的混合物；

0.1-1.0％的一种或多种碱金属氧化物；以及

(c)有机介质。

2.权利要求1的组合物，其中所述碱金属氧化物选自由下列组成的组：Na₂O、Li₂O、以及它们的混合物。

3.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料的软化点为500-600℃。

4.权利要求1的组合物，所述组合物还包含一种或多种添加剂，所述添加剂选自由下列组成的组：(a)金属，其中所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(b)一种或多种金属的金属氧化物，所述一种或多种金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时能够生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。

5.权利要求4的组合物，其中至少一种所述添加剂包含ZnO、或在焙烧时形成ZnO的化合物。

6.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料为所述总组合物的1-6重量％。

7.权利要求1的组合物，其中所述导电材料包括银。

8.权利要求7的组合物，其中所述银为所述组合物中的固体的90-99重量％。

9.权利要求5的组合物，其中所述ZnO为所述总组合物的2-10重量％。

10.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)提供半导体基板、一个或多个绝缘膜、以及权利要求1的组合物；

(b)将所述绝缘膜施加在所述半导体基板上，

(c)将所述组合物施加在所述半导体基板上的绝缘膜上，以及

(d)焙烧所述半导体、绝缘膜和厚膜组合物。

11.权利要求10的方法，其中所述绝缘膜包含选自下列的一种或多种组分：氧化钛、氮化硅、SiNx:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化钛。

12.由权利要求10的方法制造的半导体装置。

13.包括电极的半导体装置，其中所述电极在焙烧前包含权利要求1的组合物。

14.包括权利要求13的半导体装置的太阳能电池。