[发明专利]用于自旋转移矩磁阻随机存取存储器的焊盘设计无效
| 申请号： | 200980117695.9 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102027595A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 威廉·夏;升·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 自旋 转移 磁阻 随机存取存储器 设计 | ||
1.一种用于自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)位单元的低载焊盘，所述低载焊盘包含：
多个中空形下部金属层；以及
一顶部金属层，其形成于所述多个中空形下部金属层的最上层上。
2.根据权利要求1所述的低载焊盘，其进一步包含：
通孔互连，其连接所述多个中空形下部金属层中的两者，
其中所述通孔互连沿所述焊盘的周长安置。
3.根据权利要求1所述的低载焊盘，其进一步包含：
通孔互连，其连接所述多个中空形下部金属层的所述最上层与所述顶部金属层。
4.根据权利要求1所述的低载焊盘，其进一步包含：
多个通孔互连，其连接所述多个中空形下部金属层中的两者，
其中所述多个通孔互连围绕所述焊盘的周长安置。
5.根据权利要求1所述的低载焊盘，其进一步包含：
多个通孔互连，其连接所述多个中空形下部金属层的所述最上层与所述顶部金属层。
6.根据权利要求1所述的低载焊盘，其进一步包含：
铝层，其形成于所述顶部金属层上方。
7.根据权利要求1所述的低载焊盘，其进一步包含：
铝层，其形成于所述顶部金属层上方，
其中所述顶部金属层为实心层。
8.根据权利要求1所述的低载焊盘，其中所述多个中空形下部金属层的电容小于所述顶部金属层的电容。
9.根据权利要求1所述的低载焊盘，其中所述多个中空形下部金属层的周长大体上对应于所述顶部金属层的周长。
10.根据权利要求1所述的低载焊盘，其中所述铝层的周长大体上对应于所述顶部金属层的周长。
11.一种用于自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)位单元的低载焊盘，所述低载焊盘包含：
多个下部金属层；以及
一平面顶部金属层，其形成于所述多个下部金属层的最上层上，
其中所述多个下部金属层中的一者为中空形金属层。
12.根据权利要求11所述的低载焊盘，其中所述多个下部金属层中的每一者为中空形金属层。
13.一种自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)位单元，其包含：
低载焊盘，其中所述低载焊盘包括：
多个下部金属层；以及
一平面顶部金属层，其形成于所述多个下部金属层的最上层上，
其中所述多个下部金属层中的一者为中空形金属层。
14.根据权利要求13所述的STT-MRAM位单元，其中所述多个下部金属层中的每一者为中空形金属层。
15.根据权利要求13所述的STT-MRAM位单元，其中所述低载焊盘进一步包括：铝层，其形成于所述平面顶部金属层上方。
16.根据权利要求13所述的STT-MRAM位单元，其中所述低载焊盘进一步包括：
铝层，其形成于所述平面顶部金属层上方，
其中所述平面顶部金属层为实心层。
17.根据权利要求13所述的STT-MRAM位单元，其中所述多个下部金属层的电容小于所述平面顶部金属层的电容。
18.根据权利要求13所述的STT-MRAM位单元，其中所述多个下部金属层的周长大体上对应于所述平面顶部金属层的周长。
19.根据权利要求15所述的STT-MRAM位单元，其中所述铝层的周长大体上对应于所述平面顶部金属层的周长。
20.根据权利要求13所述的STT-MRAM位单元，其中所述低载焊盘进一步包括：
通孔互连，其连接所述多个下部金属层中的两者，
其中所述通孔互连沿所述焊盘的周长安置。
21.根据权利要求13所述的STT-MRAM位单元，其中所述低载焊盘进一步包括：
通孔互连，其连接所述多个下部金属层的所述最上层与所述平面顶部金属层。
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