[发明专利]用于提供具有固定特性阻抗的片上可变延迟传输线的设计结构、结构和方法有效
申请号: | 200980117714.8 | 申请日: | 2009-06-17 |
公开(公告)号: | CN102027633A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 丁汉屹;W·H·小伍兹 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01P9/00 | 分类号: | H01P9/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;李峥宇 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 提供 具有 固定 特性 阻抗 可变 延迟 传输线 设计 结构 方法 | ||
1.一种传输线结构,包括:
信号线;
第一接地回路结构,其在传输线结构中导致第一延迟和第一特性阻抗;以及
第二接地回路结构,其在所述传输线结构中导致第二延迟和第二特性阻抗;
其中所述第一延迟与所述第二延迟不同,并且所述第一特性阻抗与所述第二特性阻抗实质上相同。
2.如权利要求1所述的结构,其中所述信号线、所述第一接地回路结构和所述第二接地回路结构形成于半导体结构中。
3.如权利要求2所述的结构,其中:
所述信号线形成于所述半导体结构的第一布线层中,
所述第一接地回路结构形成于所述半导体结构的第二布线层中,以及
所述第二接地回路结构形成于所述半导体结构的第三层中。
4.如权利要求3所述的结构,其中:
所述第一布线层与所述第二布线层不同,以及
所述第一接地回路结构的部分也形成于所述第一布线层中。
5.如权利要求4所述的结构,其中:
所述信号线形成于所述半导体结构的第一布线层中,
所述第一接地回路结构形成于所述第一布线层中,以及
所述第二接地回路结构的部分形成于所述半导体结构的所述第一布线层和第二布线层中。
6.如权利要求2所述的结构,其中开关操作用以分别将所述第一接地回路结构和所述第二接地回路结构中的一个接地,并且将所述第二接地回路结构和所述第一接地回路结构中的另一个悬空。
7.如权利要求2所述的结构,其中:
所述第一接地回路结构包括第一接地回路轨和第一电容结构,以及
所述第二接地回路结构包括第二接地回路轨和第二电容结构。
8.如权利要求7所述的结构,其中:
所述第一接地回路轨比所述第二接地回路轨更远离所述信号线,以及
所述第一电容结构比所述第二电容结构更靠近所述信号线。
9.如权利要求1所述的结构,其中所述第一延迟和所述第二延迟是所述信号线中信号的延迟。
10.一种半导体结构,包括:
信号线,
第一接地回路轨和第一电容结构;以及
第二接地回路轨和第二电容结构,
其中所述第一接地回路轨比所述第二接地回路轨更远离所述信号线,
所述第一电容结构比所述第二电容结构更靠近所述信号线,以及
所述信号线的接地可以在所述第一接地回路轨与所述第二接地回路轨之间选择性地切换。
11.如权利要求10所述的结构,其中所述信号线、所述第一接地回路结构和所述第二接地回路结构包括在传输线结构中。
12.如权利要求11所述的结构,其中:
所述第一接地回路结构在所述传输线结构中创建第一延迟和第一特性阻抗,
所述第二接地回路结构创建与所述第一延迟不同的第二延迟,以及与所述第一特性阻抗实质上相等的第二特性阻抗。
13.如权利要求12所述的结构,还包括第三接地回路结构,用于创建第三延迟和第三特性阻抗,
其中所述第三延迟与所述第一延迟和所述第二延迟实质上不同,并且所述第三特性阻抗与所述第一特性阻抗和所述第二特性阻抗实质上相等。
14.如权利要求11所述的结构,其中所述信号线、所述第一接地回路结构和所述第二接地回路结构形成于衬底上的布线层中。
15.一种有形地包含在机器可读介质中的设计结构,用于设计、制造或者测试集成电路,所述设计结构包括:
信号线;
第一接地回路结构,其在传输线结构中导致第一延迟和第一特性阻抗;以及
第二接地回路结构,其在所述传输线结构中导致第二延迟和第二特性阻抗;
其中所述第一延迟与所述第二延迟不同,并且所述第一特性阻抗与所述第二特性阻抗实质上相同。
16.如权利要求15所述的设计结构,其中所述设计结构包括网表。
17.如权利要求15所述的设计结构,其中所述设计结构驻留在存储介质上,作为用于集成电路的布局数据交换的数据格式。
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