[发明专利]层叠式有机发光二极管无效
申请号: | 200980117801.3 | 申请日: | 2009-05-15 |
公开(公告)号: | CN102067730A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 姜旼秀;卢正权;孙世焕;金正凡 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H05B33/14 | 分类号: | H05B33/14 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 朱梅;刘晔 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 有机 发光二极管 | ||
1.一种层叠式有机发光二极管,其包括:
第一电极;
第二电极;和
设置在所述第一电极和第二电极之间的至少两个发光单元,
其中,该发光单元满足下述能量关系方程式,并包括形成NP结的n型有机层和p型有机层,并包括设置在所述发光单元之间的n型掺杂有机层:
EpH-EnL≤1eV
其中,EnL为所述n型有机层的LUMO(最低空分子轨道)能级,且EpH为所述p型有机层的HOMO(最高占有分子轨道)能级。
2.根据权利要求1所述的层叠式有机发光二极管,其中,在与第一电极接触的发光单元中,形成NP结的n型有机层与所述第一电极接触,并满足下述能量关系方程式:
0eV≤EnL-EF1≤4eV
其中,EF1为所述第一电极的费米能级,且EnL为所述n型有机层的LUMO(最低空分子轨道)能级。
3.根据权利要求1所述的层叠式有机发光二极管,其中,在不是与第一电极接触的发光单元的发光单元中,形成NP结的n型有机层与所述n型掺杂有机层接触。
4.根据权利要求1所述的层叠式有机发光二极管,其中,与所述第二电极接触的发光单元进一步包括n型掺杂有机层。
5.根据权利要求4所述的层叠式有机发光二极管,其中,所述n型掺杂有机层与所述第二电极接触。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的层叠式有机发光二极管,其中,每个发光单元包括至少一层发光层。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的层叠式有机发光二极管,其中,在所述n型掺杂有机层中,n型掺杂材料包括选自碱金属、碱土金属、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Th、Dy、Ho、Er、Em、Gd、Yb、Lu、Y和Mn中的至少一种金属或者包含至少一种金属的金属化合物。
8.根据权利要求1-4的任一项所述的层叠式有机发光二极管,其中,在所述n型掺杂有机层中,n型掺杂材料为包含环戊二烯、环庚三烯、六元杂环或包含这些环的稠环的材料。
9.根据权利要求1-4中任一项所述的层叠式有机发光二极管,其中,在所述n型掺杂有机层中,掺杂有机材料为包含选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉基和菲咯啉基中的官能团的化合物。
10.根据权利要求4所述的层叠式有机发光二极管,其中,包含在所述发光单元中并与所述第二电极接触的n型掺杂有机层为电子注入层、电子传输层或电子注入和传输层。
11.根据权利要求1-4中任一项所述的层叠式有机发光二极管,其中,所述p型有机层为空穴注入层、空穴传输层或发光层。
12.根据权利要求1-4中任一项所述的层叠式有机发光二极管,其中,所述n型有机层具有4至7eV的LUMO能级。
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