[发明专利]导电组合物以及用于半导体装置制造的方法

权利要求书

1.一种厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包含：

a)一种或多种导电粉末；

b)一种或多种玻璃料；

c)有机介质，其中所述有机介质包含一种或多种选自下列的组分：己二酸二[2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯]、二价酸酯、环氧妥尔油酸辛酯、异十四烷醇、和氢化松香的季戊四醇酯；

所述a)和b)分散于c)中。

2.根据权利要求1的厚膜导电组合物，其中所述二价酸酯为选自己二酸、戊二酸、和琥珀酸的二甲酯的一种或多种化合物。

3.根据权利要求1的厚膜导电组合物，其中所述玻璃料包含按总玻璃组合物的重量％计：SiO₂1-36，Al₂O₃0-7，B₂O₃1.5-19，PbO 20-83，ZnO 0-42，CuO 0-4，Bi₂O₃0-35，ZrO₂0-8，TiO₂0-7，PbF₂3-34。

4.根据权利要求1的厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物还包含金属/金属氧化物添加剂。

5.根据权利要求4的厚膜导电组合物，其中所述金属/金属氧化物添加剂选自：

a)金属，其中所述金属选自锌、镁、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；

b)一种或多种金属的金属氧化物，所述一种或多种金属选自锌、镁、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；

c)在焙烧时能够生成(b)的金属氧化物的化合物；以及

d)它们的混合物。

6.权利要求5的厚膜导电组合物，其中所述含锌添加剂为ZnO。

7.一种在基板上包括权利要求1的厚膜组合物的结构。

8.权利要求7的结构，其中所述基板为一个或多个绝缘层。

9.权利要求7的基板，所述基板包括一个或多个半导体基板。

10.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

a)提供一个或多个半导体基板、一个或多个绝缘膜、以及厚膜组合物，其中所述厚膜组合物包含：

i)一种或多种导电粉末，

ii)一种或多种玻璃料，

iii)有机介质，所述有机介质选自：己二酸二[2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯]、二价酸酯、环氧妥尔油酸辛酯、异十四烷醇、和氢化松香的季戊四醇酯，

所述i)和ii)分散于iii)中，

b)将所述绝缘膜施加在所述半导体基板上；

c)将所述厚膜组合物施加在所述半导体基板上的绝缘膜上；以及

d)焙烧所述半导体、绝缘膜以及厚膜组合物。

11.权利要求10的方法，其中所述绝缘膜包含一种或多种选自下列的组分：氧化钛、氮化硅、SiNx:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化钛。

12.一种太阳能电池的电极，所述电极通过将权利要求1的厚膜导电组合物施加到太阳能电池基板的上并且焙烧所述施加的厚膜导电组合物而形成。