[发明专利]工件破损防止方法及设备

权利要求书

1.一种方法，包括：

a)测量工件在其热处理期间的变形；以及

b)响应于对所述工件的所述变形的所述测量，关于所述工件的所述热处理而采取措施。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述工件包括半导体晶片，并且其中，测量所述工件的变形包括：测量在所述晶片的热加工期间的变形。

3.如权利要求2所述的方法，其中，采取措施包括：向在所述热加工期间对所述晶片进行的温度测量施加变形校正。

4.如权利要求3所述的方法，其中，施加包括：向用来获得所述温度测量的反射率测量施加所述变形校正。

5.如权利要求2所述的方法，其中，采取措施包括：修改所述晶片的所述热加工。

6.如权利要求5所述的方法，其中，修改包括：响应于测量出所述晶片的期望变形，启动入射在所述晶片的表面上的辐照闪光。

7.如权利要求5所述的方法，其中，修改包括：抵消所述晶片中的热失控。

8.如权利要求5所述的方法，其中，修改包括：增大所述晶片与其下方的支撑板之间的间距。

9.如权利要求5所述的方法，其中，修改包括：减小所述晶片相对于其初始形状的变形。

10.如权利要求5所述的方法，其中，修改包括：向所述晶片的表面供给额外的热量。

11.如权利要求5所述的方法，其中，修改包括：中止所述晶片的所述热加工。

12.如权利要求2所述的方法，其中，测量变形包括：测量所述晶片的曲率。

13.如权利要求12所述的方法，其中，测量曲率包括：测量所述晶片已变形为穹顶形状时的曲率半径。

14.如权利要求12所述的方法，其中，测量曲率包括：测量由所述晶片反射的像的变化。

15.如权利要求14所述的方法，其中，测量所述像的所述变化包括：测量由所述晶片反射的所述像的放大率的变化。

16.如权利要求14所述的方法，其中，测量所述像的所述变化包括：识别所述晶片的表面的至少两条法线。

17.如权利要求2所述的方法，其中，采取措施包括：诱发所述晶片的期望变形。

18.如权利要求17所述的方法，其中，诱发包括：引起所述晶片变形为穹顶形状。

19.如权利要求17所述的方法，其中，诱发包括：引起所述晶片变形为穹顶形状，其中所述晶片的中心比所述晶片的外周更靠近辐照闪光源。

20.如权利要求18所述的方法，其中，引起包括：辐照所述晶片的表面以引起所述表面热膨胀。

21.如权利要求18所述的方法，其中，引起包括：选择性地辐照所述晶片的各相对表面。

22.如权利要求18所述的方法，其中，引起包括：辐照具有至少一个覆膜表面的晶片。

23.如权利要求17所述的方法，其中，还包括：当所述晶片的所述期望变形已被诱发时，启动入射在所述晶片的表面上的辐照闪光。

24.一种用于对工件进行热处理的设备，所述设备包括：

a)热处理系统，被配置为对所述工件进行热处理；

b)测量系统，被配置为测量所述工件在由所述热处理系统对其进行热处理期间的变形；以及

c)处理器电路，被配置为与所述热处理系统和所述测量系统协作以引起措施响应于所述测量系统测量所述工件的所述变形、关于所述工件的所述热处理而被采取。

25.如权利要求24所述的设备，其中，所述工件包括半导体晶片，并且其中，所述热处理系统包括热加工系统。

26.如权利要求25所述的设备，其中，所述处理器电路被配置为向在所述热加工期间对所述晶片进行的温度测量施加变形校正。

27.如权利要求26所述的设备，其中，所述处理器电路被配置为向用来获得所述温度测量的反射率测量施加所述变形校正。