[发明专利]薄膜电池及其制造方法无效
申请号: | 200980118251.7 | 申请日: | 2009-05-20 |
公开(公告)号: | CN102037586A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 郭秉圣;迈克尔·斯托厄尔;尼蒂·克里希纳 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01M4/04 | 分类号: | H01M4/04;H01M4/48;H01M4/58;C23C14/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造薄膜电池阴极层的方法,包含以下步骤:
提供溅射靶材,其平均组成为LiMaNbZc,其中0.20>{b/(a+b)}>0,且a与c的比例约等于该阴极层的理想结晶结构的化学计量比,N为碱土族元素,M选自由Co、Mn、Al、Ni与V组成的群组,Z选自由(PO4)、O、F与N组成的群组;以及
利用等离子体增强式物理汽相沉积工艺以沉积该阴极层于基板上。
2.如权利要求1所述的方法,其中0.12>{b/(a+b)}>0.05。
3.如权利要求1所述的方法,其中该理想结晶结构为尖晶石,M为Mn、Z为O,且a与c的比例约为2比4。
4.如权利要求1所述的方法,其中M为Co、Z为O,该理想结晶结构为层状结构,且a与c的比例约为1比2。
5.如权利要求1所述的方法,其中该靶材具有小于1E5欧姆-厘米的电阻率。
6.如权利要求1所述的方法,其中该层具有小于1E1欧姆-厘米的电阻率。
7.如权利要求1所述的方法,其中该层具有大于3微米的厚度。
8.如权利要求1所述的方法,其中该沉积步骤包含:(1)于该靶材及该基板之间产生等离子体;以及(2)施加脉冲直流电流至该靶材。
9.如权利要求8所述的方法,其中该沉积步骤还包含:(3)施加射频功率至该基板;以及(4)供应微波能量至该等离子体。
10.如权利要求1所述的方法,其中该沉积步骤包含:(1)于该靶材及该基板之间产生等离子体;以及(2)供应微波能量至该等离子体。
11.如权利要求1所述的方法,其中该沉积步骤包含施加射频功率至该基板。
12.一种用以制造薄膜电池的层的方法,包含以下步骤:
提供溅射靶材;以及
利用等离子体增强式物理汽相沉积工艺以沉积该层于基板上,包含以下步骤:
于该靶材及该基板之间产生等离子体;
溅射该靶材;
供应微波能量至该等离子体;以及
施加第一频率的射频功率至该基板。
13.如权利要求12所述的方法,其中该靶材的平均组成为Li3PO4,且其中该层为电解质层。
14.如权利要求12所述的方法,其中该靶材的平均组成为LiCoO2,且其中该层为阴极层。
15.如权利要求12所述的方法,其中该溅射步骤包含施加第二频率的射频功率至该靶材。
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