[发明专利]使工具与工艺效果分离的衬底矩阵有效
申请号: | 200980118575.0 | 申请日: | 2009-05-20 |
公开(公告)号: | CN102037550A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | P·伊兹克森;M·E·阿德尔;D·坎德尔 | 申请(专利权)人: | 恪纳腾公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 | 代理人: | 严慎 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工具 工艺 效果 分离 衬底 矩阵 | ||
1.一种特征化工艺的方法,所述方法包括以下步骤:
选择要特征化的工艺;
选择要特征化的所述工艺的参数;
确定要在测试矩阵中使用的所述参数的值;
指定用于所述测试矩阵的混杂度;
选择衬底上的单元中要被创建的测试结构;
通过所述工艺来处理所述衬底,所述工艺在每个单元中使用如由所述混杂的测试矩阵确定的所述参数的值;
测量所述单元中的所述测试结构的性质;以及
形成所述参数和所述性质之间的相关性。
2.如权利要求1所述的方法,其中两个参数被选择。
3.如权利要求1所述的方法,其中多于两个参数被选择。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述工艺是光刻工艺。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述工艺是光刻工艺,两个参数被选择,并且所述被选择的参数是焦距和曝光。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述参数的仅有两个值被确定。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述参数的至少三个值被确定。
8.如权利要求1所述的方法,其中所述混杂度以随机顺序排列所述测试矩阵。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述混杂度以伪随机顺序排列所述测试矩阵。
10.如权利要求1所述的方法,其中多个参数被选择,并且每个单元利用所述参数的值的唯一组合来处理。
11.如权利要求1所述的方法,其中所述测试结构包括线宽度。
12.如权利要求1所述的方法,其中多于一种性质被测量。
13.如权利要求1所述的方法,其中所述性质包括线宽度。
14.如权利要求1所述的方法,其中所述相关性是多项式方程,所述多项式方程使作为输入变量的所述参数与作为输出变量的所述性质相关。
15.如权利要求1所述的方法,其中所述参数和所述性质之间的所述相关性指示所述性质有多接近所述性质的期望值。
16.一种特征化光刻工艺的方法,所述方法包括以下步骤:
确定要在测试矩阵中使用的焦距和曝光的值;
指定用于所述测试矩阵的随机和伪随机混杂度中的一个;
选择衬底上的单元中要被创建的具有线宽度的测试结构;
通过所述光刻工艺来处理所述衬底,所述光刻工艺在每个单元中使用如由所述混杂的测试矩阵确定的所述焦距和所述曝光的值的组合;
测量所述单元中所述测试结构的所述线宽度;以及
形成使作为输入变量的所述焦距和曝光与作为输出变量的所述线宽度相关的多项式表达式。
17.如权利要求16所述的方法,其中除焦距和曝光以外的参数被用于所述测试矩阵中。
18.如权利要求16所述的方法,其中焦距和曝光中的每一个仅有三个值被确定。
19.如权利要求16所述的方法,其中所述参数和所述性质之间的相关性指示所述性质有多接近所述性质的期望值。
20.如权利要求16所述的方法,其中每个单元利用焦距和曝光的值的唯一组合来处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造