[发明专利]太阳能电池有效
申请号: | 200980118599.6 | 申请日: | 2009-10-01 |
公开(公告)号: | CN102037568A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 鱼英株;安世源;李宪民;高志勋;金善虎;池光善 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;张旭东 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:
n型或者p型非晶硅层;
透明电极;以及
位于所述透明电极与所述非晶硅层之间的金属缓冲层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,位于所述透明电极与所述非晶硅层之间的所述金属缓冲层接触所述透明电极和所述非晶硅层中的每一个。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述金属缓冲层的厚度小于所述透明电极的厚度。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,若把包含在所述金属缓冲层中的材料称为第一材料,而把包含在所述透明电极中的材料称为第二材料,则所述第一材料的电负值和所述非晶硅层中的硅的电负值之间的差异小于所述第二材料的电负值和所述非晶硅层中的硅的电负值之间的差异。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中,所述第一材料的电负值的值在所述第二材料的电负值和硅的电负值之间。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,若把包含在所述金属缓冲层中的材料称为第一材料,而把包含在所述透明电极中的材料称为第二材料,则所述第一材料的电负值和所述非晶硅层中的硅的电负值之间的差异小于所述第一材料的电负值和所述第二材料的电负值之间的差异。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述金属缓冲层的厚度大约为0.1纳米至100.0纳米。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述金属缓冲层包含铟、锡、硼、铝、镓以及锌中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,当所述透明电极包含铟锡氧化物时,所述金属缓冲层包含铟和锡中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,当所述透明电极包含锌氧化物时,所述金属缓冲层包含硼、铝、镓以及锌中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池,该太阳能电池还包括电连接到所述透明电极的格栅电极。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述金属缓冲层是金属氧化物层。
13.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:
基础硅层,其由掺杂了第一杂质的结晶硅形成;
在所述基础硅层上的非晶硅层,该非晶硅层掺杂了第二杂质,该第二杂质的导电类型不同于所述第一杂质的导电类型;
透明电极;以及
位于所述透明电极与所述非晶硅层之间的金属氧化物层。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池,其中,位于所述透明电极与所述非晶硅层之间的所述金属氧化物层接触所述透明电极和所述非晶硅层中的每一个。
15.根据权利要求13所述的太阳能电池,其中,所述金属氧化物层的厚度小于所述透明电极的厚度。
16.根据权利要求13所述的太阳能电池,其中,所述金属氧化物层的电负值和所述非晶硅层的电负值之间的差异小于所述透明电极的电负值和所述非晶硅层的电负值之间的差异。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池,其中,所述金属氧化物层的电负值的值在所述透明电极的电负值和所述非晶硅层的电负值之间。
18.根据权利要求13所述的太阳能电池,其中,所述金属氧化物层的电负值和所述非晶硅层的电负值之间的差异小于所述金属氧化物层的电负值和所述透明电极的电负值之间的差异。
19.根据权利要求13所述的太阳能电池,其中,当所述透明电极包含铟锡氧化物时,所述金属氧化物层包含铟和锡中的至少一种。
20.根据权利要求13所述的太阳能电池,其中,当所述透明电极包含锌氧化物时,所述金属氧化物层包含硼、铝、镓以及锌中的至少一种。
21.根据权利要求13所述的太阳能电池,该太阳能电池还包括位于所述基础硅层与所述非晶硅层之间的i型本征硅层。
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