[发明专利]含低熔体温度的聚烯烃的可剥离的半导性组合物有效

专利信息
申请号: 200980118953.5 申请日: 2009-05-04
公开(公告)号: CN102046721A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 乌尔夫·托格森;奥拉·法格雷尔;卡尔-米夏埃多·雅格;埃里克·马斯登;多米尼克·孔 申请(专利权)人: 博里利斯股份公司
主分类号: C08L23/08 分类号: C08L23/08;C08K3/04;C08L23/14
代理公司: 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 代理人: 黄泽雄;王茅
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要:
搜索关键词: 含低熔 体温 烯烃 剥离 半导性 组合
【权利要求书】:

1.一种半导性聚合物组合物,所述组合物包括:

(A)含有极性共聚单体单元的乙烯共聚物,其中所述极性共聚单体单元在所述乙烯共聚物中的含量基于所述乙烯共聚物的总重量为10wt.%或更多,

(B)含有丙烯单体单元和乙烯单体单元的烯烃共聚物,其中所述烯烃共聚物的熔点为110℃或更小,以及

(C)基于所述半导性聚合物组合物总重量含量为10-50wt.%的碳黑,

其中采用茂金属聚合催化剂制备所述烯烃共聚物(B)。

2.根据权利要求1所述的半导性聚合物组合物,其特征在于,所述烯烃共聚物(B)的乙烯含量基于所述烯烃共聚物的总重量为40wt.%或更少。

3.根据权利要求1或2所述的半导性聚合物组合物,其特征在于,所述烯烃共聚物(B)的乙烯含量为25重量%或更少。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导性聚合物组合物,其特征在于,所述烯烃共聚物(B)的熔点为100℃或更少。

5.根据前述任一项权利要求所述的半导性聚合物组合物,其特征在于,所述烯烃共聚物(B)的含量为全部共聚物组合物的3-40wt.%。

6.根据权利要求5所述的半导性聚合物组合物,其特征在于,所述烯烃共聚物(B)的含量不多于全部共聚物组合物的10wt.%。

7.根据前述任一项权利要求所述的半导性聚合物组合物,其特征在于,所述乙烯共聚物(A)中所含有的极性共聚单体选自由丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙酸酯和/或由α-烯烃和乙烯基酯形成的乙烯基酯聚合物的组。

8.根据前述任一项权利要求所述的半导性聚合物组合物,其特征在于,所述乙烯共聚物(A)以30-65wt.%的量存在于所述组合物中。

9.根据前述任一项权利要求所述的半导性聚合物组合物,其特征在于,所述烯烃共聚物(B)相对于所述极性共聚物(A)和所述烯烃共聚物(B)的重量之和的重量比不大于20wt.%。

10.根据前述任一项权利要求所述的半导性聚合物组合物,其特征在于,所述组合物还包括碱性的无机填料。

11.一种电缆,所述电缆包括导体、绝缘层和至少一个半导层,其中至少一个半导层包含如权利要求1-10的任一项所定义的半导性聚合物组合物。

12.根据权利要求11所述的电缆,其特征在于,所述绝缘层包含乙烯聚合物。

13.根据权利要求1-10中任一项所述的半导性聚合物组合物在制备电缆的半导层中的用途。

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