[发明专利]电力半导体电路装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电力半导体电路装置，具备电力半导体元件，该电力半导体电路装置的特征在于，具备：

至少搭载了所述电力半导体元件的基底板；

以使包括所述基底板的与搭载所述电力半导体元件的面相反的一侧的面的所述基底板的一部分表面露出的状态，对所述基底板和所述电力半导体元件进行模塑的树脂；以及

通过按压力与所述基底板接合的散热片，

在所述基底板的所述散热片接合部加工出槽，通过挤缝将所述散热片固定到所述槽。

2.一种电力半导体电路装置，具备电力半导体元件，该电力半导体电路装置的特征在于，具备：

至少搭载了所述电力半导体元件的基底板；

以使包括所述基底板的与搭载所述电力半导体元件的面相反的一侧的面的所述基底板的一部分表面露出的状态，对所述基底板和所述电力半导体元件进行模塑的树脂；以及

在所述基底板的所述露出的表面，对所述表面进行切割立起而形成的散热片。

3.根据权利要求1所述的电力半导体电路装置，其特征在于，

所述散热片是将一个板形成为波状而得到的。

4.根据权利要求1所述的电力半导体电路装置，其特征在于，

在形成于所述基底板的槽中，形成有朝向开口部加宽的锥形面和朝向底部加宽的逆锥形面。

5.根据权利要求1所述的电力半导体电路装置，其特征在于，

在所述基底板的槽与通过挤缝固定到该槽内的散热片之间的间隙中，填充有高热传导性粘接剂。

6.根据权利要求1或2所述的电力半导体电路装置，其特征在于，

在所述基底板的至少对置的二个面，形成有台阶状的阶部。

7.根据权利要求1或2所述的电力半导体电路装置，其特征在于，

具备倾斜部，该倾斜部从所述基底板的搭载电力半导体元件的面一直形成到与搭载该电力半导体元件的面相反的一侧的面。

8.根据权利要求1或2所述的电力半导体电路装置，其特征在于，

使所述基底板的电力半导体元件的搭载面的面积大于通过所述树脂形成的模塑部的投影面积。

9.根据权利要求1或2所述的电力半导体电路装置，其特征在于，

在所述基底板的电力半导体元件的搭载面，形成有垂直方向的凸部或者凹部。

10.一种具备电力半导体元件的电力半导体电路装置的制造方法，其特征在于，

在基底板的一面至少搭载所述电力半导体元件，并且在所述基底板的相反的一侧的面形成接合用的槽，以使包括所述基底板的与搭载所述电力半导体元件的面相反的一侧的面的所述基底板的一部分表面露出的状态，通过树脂对所述基底板和所述电力半导体元件进行模塑，之后，通过挤缝将所述散热片固定到所述基底板的所述槽中。

11.根据权利要求10所述的电力半导体电路装置的制造方法，其特征在于，

在通过所述树脂进行的模塑中，通过具有对所述基底板的周边进行按压的单元的模具来进行模塑。

12.根据权利要求11所述的电力半导体电路装置的制造方法，其特征在于，

在所述基底板的周边形成阶部或者锥形部。

13.根据权利要求10～12中的任意一项所述的电力半导体电路装置的制造方法，其特征在于，

一边对所述散热片进行加热，一边通过挤缝将所述散热片固定到所述基底板而形成。

14.根据权利要求1所述的电力半导体电路装置，其特征在于，

所述散热片具有弯曲形成为V字形的挤缝部，以压垮该挤缝部的方式通过挤缝而被固定到所述槽内，并且以使所述挤缝部的从所述槽超出的部分成为比该槽的底面低的位置的方式被塑性变形。

15.一种电力半导体电路装置，其特征在于，具备：

发热的功率半导体元件；

金属基板，在一面安装所述功率半导体元件，在另一面形成多个平行的槽，在所述一面与另一面之间形成有绝缘层；

模塑树脂，覆盖所述功率半导体元件，并且覆盖所述金属基板的所述一面以及该一面侧的外周部；以及

散热片，具有弯曲形成为V字形的挤缝部，以压垮该挤缝部的方式通过挤缝而被固定到所述槽内，以使所述挤缝部的从所述槽超出的部分成为比该槽的底面低的位置的方式被塑性变形。

16.一种电力半导体电路装置的制造方法，其特征在于，包括：

将功率半导体元件安装到金属框架的工序；

在另一面形成有多个平行的槽的金属基底的一面，设置所述金属框架的工序；

通过模塑树脂覆盖所述功率半导体元件以及金属框架，并且覆盖所述金属基底的所述一面以及该一面侧的外周部的工序；以及

以压垮板金制散热片的弯曲形成为V字形的挤缝部的方式，通过挤缝而固定到所述槽内，以使所述挤缝部的从所述槽超出的部分成为比该槽的底面低的位置的方式进行塑性变形的工序。