[发明专利]非热等离子体微粒减少系统以及使用该系统的方法

权利要求书

1.一种用于减少气流中微粒物质数量的装置，其特征在于，包含：

a)接触气流的第一导体，其中第一导体包含产生非热等离子体(NTP)的部分；

c)接触气流并且与第一导体电配对的第二导体；以及

d)将第一导体与第二导体电绝缘的绝缘体，其中绝缘体是自洁的绝缘体。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，自洁的绝缘体通过氧化自洁完成清洁。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，自洁的绝缘体包含薄到足以使其表面上积聚的导电材料氧化的绝缘部分。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，自洁的绝缘体包含小于标称厚度的部分。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，自洁的绝缘体的小于标称厚度的部分的厚度选自由标称厚度的50％、60％、70％、80％和90％组成的群组。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包含一个或多个抗腐蚀垫圈。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，在自洁的绝缘体的近端提供一个或多个抗腐蚀垫圈。

8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，在自洁的绝缘体的近端和远端都提供一个或多个抗腐蚀垫圈。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，第一导体是负极。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，第一导体具有施加给其的脉冲直流电。

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，脉冲直流电具有约100ns到1ms之间的脉冲宽度。

12.一种用于减少气流中微粒物质数量的方法，其特征在于，包含将气流暴露于由权利要求1所述的装置产生的NTP。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，权利要求1所述的装置的自洁的绝缘体包含薄到足以使其表面上积聚的导电材料氧化的绝缘部分。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，自洁的绝缘体的厚度选自由标称厚度的50％、60％、70％、80％和90％组成的群组。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，权利要求1所述的装置进一步包含一个或多个抗腐蚀垫圈。

16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，气流在包含至少一个废气再循环(EGR)系统的系统中产生，并且气流暴露于由权利要求1所述的装置产生的NTP发生在发动机排气装置和至少一个EGR系统之间。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，权利要求1所述的装置的自洁的绝缘体包含薄到足以使其表面上积聚的导电材料氧化的绝缘部分。

18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，自洁的绝缘体的厚度选自由标称厚度的50％、60％、70％、80％和90％组成的群组。

19.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，权利要求1所述的装置进一步包含一个或多个抗腐蚀垫圈。

20.一种用于减少在包含超过一个排气阀的系统中产生的气流中的微粒物质的数量的方法，其特征在于，包含在每个排气阀处将气流暴露于由权利要求1所述的装置产生的NTP。

21.一种用于减少气流中的微粒物质数量的装置，其特征在于包含：

a)接触气流的第一导体，其中第一导体包含产生非热等离子体(NTP)的部分；

c)接触气流并且与第一导体电配对的第二导体；以及

d)将第一导体与第二导体电绝缘的绝缘体，其中绝缘体是自洁的绝缘体；

其中，自洁的绝缘体通过氧化自洁完成清洁，装置进一步包含一个或多个抗腐蚀垫圈，并且装置的第一导体具有施加给其的脉冲直流电。