[发明专利]导热硅氧烷组合物和电子器件有效
申请号: | 200980119289.6 | 申请日: | 2009-05-12 |
公开(公告)号: | CN102046728A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 堂前成正;加藤智子;中吉和己 | 申请(专利权)人: | 道康宁东丽株式会社 |
主分类号: | C08L83/04 | 分类号: | C08L83/04;C08K9/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张钦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导热 硅氧烷 组合 电子器件 | ||
1.一种导热硅氧烷组合物,其包含:
(A)100质量份有机基聚硅氧烷,其在25℃下具有至少500mPa·s的粘度;
(B)400-3,500质量份导热填料;
(C)0.1-10质量份细硅石粉;
(D)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷,其在25℃下具有小于500mPa·s的粘度:
R13SiO(R12SiO)m(R1R3SiO)n R12Si-X-SiR1(3-a)(OR2)a
其中,X表示氧原子或具有2-10个碳原子的二价烃基;R1表示相同或不同的不含不饱和脂族键的一价烃基;R2表示选自烷基、烷氧基烷基、烯基或酰基的基团;R3由下述通式表示:-X-SiR1(3-b)(OR2)b(其中,X、R1和R2如上所定义;且“b”是1-3的整数);“a”是0-3的整数;“m”是等于或大于0的整数,“n”是等于或大于0的整数;然而,当“a”等于0时,“n”是等于或大于1的整数,
组分(D)以每100质量份组分(B)0.005-10质量份的量使用;和
(E)下述通式的硅烷化合物:
R4(4-c)Si(OR2)c
其中,R4为选自一价烃基、含环氧基的有机基团、含甲基丙烯酰基的有机基团或含丙烯酰基的有机基团的基团;R2如上所定义;和“c”是1-3的整数,
组分(E)以每100质量份组分(B)0.005-10质量份的量使用。
2.权利要求1的导热硅氧烷组合物,其中组分(B)是选自金属氧化物、金属氢氧化物、氮化物、碳化物、石墨、金属、或其混合物的导热填料。
3.权利要求1的导热硅氧烷组合物,其中组分(B)是至少一种选自氧化铝、氧化锌、氧化镁、氧化钛、氧化铍、氢氧化铝和氢氧化镁的导热填料。
4.权利要求1的导热硅氧烷组合物,其中组分(B)是在组分(A)中用组分(D)和(E)表面处理过的。
5.一种电子器件,包括散热元件和电子部件或支撑该电子部件的电路板,其中散热元件通过如权利要求1-4任一项所述的导热硅氧烷组合物粘接到电子部件或电路板上。
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