[发明专利]导热硅氧烷组合物和电子器件有效

专利信息
申请号: 200980119289.6 申请日: 2009-05-12
公开(公告)号: CN102046728A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 堂前成正;加藤智子;中吉和己 申请(专利权)人: 道康宁东丽株式会社
主分类号: C08L83/04 分类号: C08L83/04;C08K9/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张钦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 导热 硅氧烷 组合 电子器件
【权利要求书】:

1.一种导热硅氧烷组合物,其包含:

(A)100质量份有机基聚硅氧烷,其在25℃下具有至少500mPa·s的粘度;

(B)400-3,500质量份导热填料;

(C)0.1-10质量份细硅石粉;

(D)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷,其在25℃下具有小于500mPa·s的粘度:

R13SiO(R12SiO)m(R1R3SiO)n R12Si-X-SiR1(3-a)(OR2)a

其中,X表示氧原子或具有2-10个碳原子的二价烃基;R1表示相同或不同的不含不饱和脂族键的一价烃基;R2表示选自烷基、烷氧基烷基、烯基或酰基的基团;R3由下述通式表示:-X-SiR1(3-b)(OR2)b(其中,X、R1和R2如上所定义;且“b”是1-3的整数);“a”是0-3的整数;“m”是等于或大于0的整数,“n”是等于或大于0的整数;然而,当“a”等于0时,“n”是等于或大于1的整数,

组分(D)以每100质量份组分(B)0.005-10质量份的量使用;和

(E)下述通式的硅烷化合物:

R4(4-c)Si(OR2)c

其中,R4为选自一价烃基、含环氧基的有机基团、含甲基丙烯酰基的有机基团或含丙烯酰基的有机基团的基团;R2如上所定义;和“c”是1-3的整数,

组分(E)以每100质量份组分(B)0.005-10质量份的量使用。

2.权利要求1的导热硅氧烷组合物,其中组分(B)是选自金属氧化物、金属氢氧化物、氮化物、碳化物、石墨、金属、或其混合物的导热填料。

3.权利要求1的导热硅氧烷组合物,其中组分(B)是至少一种选自氧化铝、氧化锌、氧化镁、氧化钛、氧化铍、氢氧化铝和氢氧化镁的导热填料。

4.权利要求1的导热硅氧烷组合物,其中组分(B)是在组分(A)中用组分(D)和(E)表面处理过的。

5.一种电子器件,包括散热元件和电子部件或支撑该电子部件的电路板,其中散热元件通过如权利要求1-4任一项所述的导热硅氧烷组合物粘接到电子部件或电路板上。

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