[发明专利]直接结合方法中的氮-等离子体表面处理

权利要求书

1.将两块各自在其表面包含由氧化硅或硅构成的薄层的板直接结合的方法，其特征在于，在所述两块板各自的薄层之间的接触步骤之前，通过由电感耦合等离子体源产生的基于氮的等离子体和在所述等离子体与支撑所述板的基材支持器之间的小于50V的电势差的存在下，对至少一块板的薄层进行单一的表面处理步骤，该表面处理步骤形成具有小于5nm的厚度的氧氮化硅表面薄膜。

2.权利要求1的方法，其特征在于，所述电势差小于15V。

3.权利要求2的方法，其特征在于，所述电势差为零。

4.权利要求1～3中任一项的方法，其特征在于，所述表面处理的时间少于5分钟。

5.权利要求5的方法，其特征在于，所述表面处理的时间为30秒～90秒。

6.权利要求1～5中任一项的方法，其特征在于，在所述表面处理期间，将所述基材支持器保持在150℃～350℃的温度。

7.权利要求1～6中任一项的方法，其特征在于，在所述表面处理期间的氮分压小于或等于6Pa。

8.权利要求7的方法，其特征在于，在所述表面处理期间的氮分压小于或等于1Pa。

9.权利要求1～8中任一项的方法，其特征在于，至少一块板的由氧化硅构成的薄层为本征氧化硅薄层。

10.权利要求1～8中任一项的方法，其特征在于，至少一块板的由氧化硅构成的薄层是通过湿法形成的。

11.权利要求1～8中任一项的方法，其特征在于，一块板的由氧化硅构成的薄层是通过热氧化形成的。

12.权利要求1～8中任一项的方法，其特征在于，一块板的由氧化硅构成的薄层是通过沉积形成的。

13.权利要求1～12中任一项的方法，其特征在于，至少一块板是通过在其表面包含由氧化硅或硅构成的薄层的半导体基材形成的。

14.权利要求13的方法，其特征在于，所述半导体基材是基于锗的。