[发明专利]用于11(IB)族-13(IIIA)族-16(VIA)族元素的金属、二元、三元、四元或五元合金沉积的电镀添加剂有效
申请号: | 200980119445.9 | 申请日: | 2009-05-29 |
公开(公告)号: | CN102047438A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | T·沃斯;J·舒尔茨;A·基尔博斯;A·索莫兹;H·布鲁纳;B·弗罗斯;U·恩格尔哈特 | 申请(专利权)人: | 阿托特希德国有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/06;C07C309/00;C25D3/38;C25D3/58 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 林柏楠;刘金辉 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 11 ib 13 iiia 16 via 元素 金属 二元 三元 合金 沉积 电镀 添加剂 | ||
1.一种通式(A)的添加剂:
式(A)
其中X1和X2可以相同或不同,且选自亚芳基和亚杂芳基;
FG1和FG2可以相同或不同,或者选自-S(O)2OH、-S(O)OH、-COOH、-P(O)2OH和伯胺、仲胺和叔胺基团及其盐和酯;
R选自亚烷基、亚芳基或亚杂芳基;且
n和m为1-5的整数。
2.根据权利要求1所述的添加剂,其选自具有通式(I)-(III)的化合物:
式I
式II
式III
其中Ar1和Ar2相同或不同,且独立地表示亚芳基;
其中Het1和Het2相同或不同,且表示亚杂芳基;和
其中FG1、FG2、m和n如权利要求1中所定义。
3.根据权利要求2所述的添加剂,其中Ar1和Ar2表示亚苯基或亚萘基。
4.根据权利要求1所述的添加剂,其中Het1和Het2表示亚吡啶基或亚喹啉基。
5.根据权利要求3所述的添加剂,其具有下式:
其中n’为2-12。
6.一种制备根据权利要求1所述添加剂的方法,包括如下步骤:使如下异硫氰酸酯:
其中X1、X2、FG1、FG2、m和n如权利要求1中所定义,与式H2N-R-NH2的二胺化合物反应,其中R如权利要求1中所定义,
或者使如下胺化合物:
其中Ar1、Ar2、FG1、FG2、m和n如权利要求1中所定义,与式SCN-R-NCS的二异氰酸酯化合物反应,其中R如权利要求1中所定义。
7.一种金属电镀组合物,包含权利要求1-6任一项所述的添加剂和IB族镀种。
8.根据权利要求7所述的金属电镀组合物,进一步包含IIIA族镀种。
9.根据权利要求8所述的金属电镀组合物,进一步包含VIA族镀种。
10.根据权利要求7-9任一项所述的金属电镀组合物,其中IB族镀种包括铜,其中IIIA族镀种包括镓和/或铟,其中VIA族镀种包括硒和/或硫。
11.根据权利要求10所述的金属电镀组合物,包含选自如下的镀种:
(i)铜镀种,
(ii)铜和铟镀种,
(iii)铜、铟和镓镀种,
(iv)铜、铟和硒镀种,
(v)铜、铟和硫镀种,
(vi)铜、铟、镓和硒镀种,
(vii)铜、铟、镓和硫镀种,和
(viii)铜、铟、镓、硒和硫镀种。
12.根据权利要求11所述的金属电镀组合物,其中铜和铟镀种以铜∶铟摩尔比为1∶0.1-50包含于组合物中,其中铜和硒镀种以铜∶硒摩尔比为1∶0.01-40包含于组合物中。
13.根据权利要求12所述的金属电镀组合物,其中铜和铟镀种以铜∶铟摩尔比为1∶1-5包含于组合物中,其中铜和硒镀种以铜∶硒摩尔比为1∶0.05-2包含于组合物中。
14.根据权利要求10或11所述的金属电镀组合物,其中铜镀种选自硫酸铜、氨基磺酸铜和甲基磺酸铜,其中铟镀种选自氨基磺酸铟和甲基氨基磺酸铟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的