[发明专利]α-杂取代烷基卤代氢硅烷的制造方法及其应用

权利要求书

1.以通式(1)：

H-SiR²_c(CR¹_3-bY_b)_aX_3-a-c  (1)

表示的卤代氢硅烷化合物(A)的制造方法，其特征在于，使以通式(2)：

SiR²_c(CR¹_3-bY_b)_aX_4-a-c    (2)

表示的卤代硅烷化合物(B)和氢硅烷化合物(C)反应；

式(1)中，R¹分别独立地为氢原子或者取代或非取代的碳原子数1～20的烃基；R²分别独立地为取代或非取代的碳原子数1～20的烃基；X分别独立地为卤素原子；Y为选自卤素原子、-OR³、-NR⁴R⁵、-N＝R⁶、-SR⁷、碳原子数1～20的全氟烷基、氰基的基团，其中的R³、R⁴、R⁵、R⁷分别为氢原子或者碳原子数1～20的取代或非取代的烃基、R⁶为碳原子数1～20的2价的取代或非取代的烃基；a为1或2，b为1、2或3，c为1或0，a+c不超过2；

式(2)中，R¹、R²、X、Y、a、b、c同上。

2.如权利要求1所述的硅烷化合物的制造方法，其特征在于，X为氯。

3.如权利要求1或2所述的硅烷化合物的制造方法，其特征在于，Y为卤素原子。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的硅烷化合物的制造方法，其特征在于，卤代氢硅烷化合物(A)是氯甲基二氯硅烷(ClCH₂SiCl₂H)。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的硅烷化合物的制造方法，其特征在于，氢硅烷化合物(C)是1个硅原子上只有1个氢的一氢硅烷化合物(C1)。

6.如权利要求5所述的硅烷化合物的制造方法，其特征在于，一氢硅烷化合物(C1)是以通式(3)：

H-SiR⁸_gZ_3-g  (3)

表示的化合物；

式(3)中，R⁸分别独立地为选自取代或非取代的碳原子数1～20的烃基或R⁹₃SiO-的基团，其中的R⁹分别独立地为碳原子数1～20的取代或非取代的烃基；Z分别独立地为选自卤素原子、烷氧基、芳氧基的基团；g为1、2或3。

7.如权利要求5所述的硅烷化合物的制造方法，其特征在于，氢硅烷(C)是甲基二氯硅烷。

8.如权利要求6所述的硅烷化合物的制造方法，其特征在于，通式(3)的g为3。

9.如权利要求1～4中的任一项所述的硅烷化合物的制造方法，其特征在于，氢硅烷(C)是以通式(4)：

H_dSiR¹⁰_eR¹¹_4-d-e  (4)

表示的芳基氢硅烷化合物(C2)；

式(4)中，R¹⁰分别独立地为取代或非取代的芳香族烃基，R¹¹分别独立地为选自取代或非取代的碳原子数1～20的脂肪族烃基、卤素原子、烷氧基、芳氧基的基团；d为1、2或3，e为1、2或3，d和e之和不超过4。

10.如权利要求9所述的硅烷化合物的制造方法，其特征在于，d为1。

11.如权利要求9或10所述的硅烷化合物的制造方法，其特征在于，e为1或2。

12.如权利要求5所述的硅烷化合物的制造方法，其特征在于，氢硅烷(C)是苯基硅烷、二苯基硅烷、二甲基苯基硅烷中的任一种。