[发明专利]制造硅烷化多孔绝缘膜的方法、制造半导体装置的方法和硅烷化材料无效
| 申请号： | 200980119778.1 | 申请日： | 2009-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102047395A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 木下启藏;邻真一;中山高博 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社;株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/3065;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 硅烷 多孔 绝缘 方法 半导体 装置 材料 | ||
1.一种制造硅烷化多孔绝缘膜的方法，所述方法包括：
形成具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜；以及
向所述二氧化硅基多孔绝缘膜上施用通过蒸发硅烷化材料而得到的硅烷化气体，所述硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物和用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的阻聚剂。
2.如权利要求1所述的方法，其中在所述硅烷化材料中，所述阻聚剂相对于所述有机硅烷化合物的浓度低于500ppm。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述有机硅烷化合物包含1，3，5，7-四甲基环硅氧烷(TMCTS)。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅基多孔绝缘膜由具有Si-O-Si键的材料制成。
5.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：
在衬底上形成具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜；以及
向所述二氧化硅基多孔绝缘膜施用通过蒸发硅烷化材料而得到的硅烷化气体，所述硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物和用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的阻聚剂。
6.如权利要求5所述的方法，其中在所述硅烷化材料中，所述阻聚剂相对于所述有机硅烷化合物的浓度低于500ppm。
7.如权利要求5所述的方法，其中所述有机硅烷化合物包含1，3，5，7-四甲基环硅氧烷(TMCTS)。
8.如权利要求5所述的方法，其中所述二氧化硅基多孔绝缘膜由具有Si-O-Si键的材料制成。
9.如权利要求5所述的方法，还包括：在所述形成二氧化硅基多孔绝缘膜之后且在所述施用硅烷化气体之前，在所述二氧化硅基多孔绝缘膜上形成掩膜，并使用所述掩膜通过干法腐蚀在所述二氧化硅基多孔绝缘膜中形成凹部。
10.如权利要求9所述的方法，还包括：在所述施用硅烷化气体之后，
在所述衬底的整个表面上形成导电膜以用所述导电膜掩埋所述凹部；以及
使用化学机械研磨法除去从所述凹部中露出的所述导电膜。
11.一种硅烷化材料，所述硅烷化材料以汽化状态施用到具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜上，以使所述二氧化硅基多孔绝缘膜具有疏水性能，并对所述二氧化硅基多孔绝缘膜进行强化，所述硅烷化材料包含：
具有疏水基团的有机硅烷化合物；和
用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的阻聚剂。
12.如权利要求11所述的硅烷化材料，其中在所述硅烷化材料中，所述阻聚剂相对于所述有机硅烷化合物的浓度低于500ppm。
13.如权利要求11所述的硅烷化材料，其中所述有机硅烷化合物包含1，3，5，7-四甲基环硅氧烷(TMCTS)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
