[发明专利]卤代聚硅烷和生产卤代聚硅烷的等离子体-化学方法

权利要求书

1.一种卤代聚硅烷，所述卤代聚硅烷为纯化合物或每种化合物具有至少一个直接的Si-Si键的化合物的混合物，所述卤代聚硅烷的取代基由卤素组成或由卤素和氢组成，在其组成中，取代基与硅的原子比为至少1∶1，其特征在于：

a)所述卤素是氯，

b)所述聚硅烷的氢含量小于2原子％，

c)所述聚硅烷几乎不含任何短链的支链和环，相对于全部产品混合物，短链的部分的支化点的含量小于1％，

d)其具有I₁₀₀/I₁₃₂＞1的Raman分子振动谱，其中I₁₀₀是指在100cm^-1处的Raman强度，I₁₃₂是指在132cm^-1处的Raman强度，

e)在²⁹Si-NMR谱上，所述聚硅烷在+15ppm至-7ppm的化学位移范围内具有其显著的产物信号。

2.一种卤代聚硅烷，所述卤代聚硅烷是纯化合物或每种化合物具有至少一个直接的Si-Si键的化合物的混合物，所述卤代聚硅烷的取代基由卤素组成或由卤素和氢组成，在其组成中，取代基与硅的原子比为至少1∶1，其特征在于：

a)所述卤素是溴，且

b)在²⁹Si-NMR谱上，所述卤代聚硅烷在-10ppm至-42ppm，-48ppm至-52ppm和/或-65ppm至-96ppm的化学位移范围内具有其显著的产物信号。

3.根据权利要求2所述的卤代聚硅烷，其特征在于所述卤代聚硅烷具有在110cm^-1到130cm^-1的、在170cm^-1到230cm^-1的、在450cm^-1到550cm^-1的和在940cm^-1到1000cm^-1的典型Raman强度。

4.根据权利要求2或3所述的卤代聚硅烷，其特征在于所述聚硅烷的氢含量小于4原子％。

5.一种卤代聚硅烷，所述卤代聚硅烷是纯化合物或每种化合物具有至少一个直接的Si-Si键的化合物的混合，所述卤代聚硅烷的取代基由卤素组成或由卤素和氢组成，在其组成中，取代基与硅的原子比为至少1∶1，其特征在于：

a)所述卤素是氟，且

b)在²⁹Si-NMR谱上，所述卤代聚硅烷在8ppm到-30ppm和/或-45ppm到-115ppm的化学位移范围内具有其显著的产物信号。

6.根据权利要求5所述的卤代聚硅烷，其特征在于所述卤代聚硅烷具有在约180cm^-1到225cm^-1、约490cm^-1到550cm^-1和约900cm^-1到980cm^-1的典型Raman强度。

7.根据权利要求5或6所述的卤代聚硅烷，其特征在于所述聚硅烷的氢含量小于4原子％。

8.一种卤代聚硅烷，所述卤代聚硅烷是纯化合物或每种化合物具有至少一个直接的Si-Si键的化合物的混合物，所述卤代聚硅烷的取代基由卤素组成或由卤素和氢组成，在其组成中，取代基与硅的原子比为至少1∶1，其特征在于：

a)所述卤素是碘，且

b)在²⁹Si-NMR谱上，所述卤代聚硅烷在-20ppm到-55ppm，-65ppm到-105ppm和/或-135ppm到-181ppm的化学位移范围内具有其显著的产物信号。

9.根据权利要求8所述的卤代聚硅烷，其特征在于所述卤代聚硅烷具有在约95cm^-1到120cm^-1、130cm^-1到140cm^-1、320cm^-1到390cm^-1和480cm^-1到520cm^-1的典型Raman强度。

10.根据权利要求8或9所述的卤代聚硅烷，其特征在于所述聚硅烷的氢含量优选小于4原子％。