[发明专利]荧光灯有效
申请号: | 200980119999.9 | 申请日: | 2009-05-26 |
公开(公告)号: | CN102047379A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 渡边晓;伊藤和弘;宫川直通;渡边一成;伊藤节郎 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | H01J61/35 | 分类号: | H01J61/35;H01J61/30;H01J65/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光灯 | ||
技术领域
本发明涉及荧光灯。
背景技术
目前,荧光灯用于照明、显示装置的背光、各种生产工序中的光照射等用途。这样的荧光灯通常具有包含放电气体的电子管,已知氙灯、汞灯、金属卤化物灯、冷阴极荧光灯、热阴极荧光灯、半热荧光灯、平面荧光灯、外部电极式稀有气体荧光灯、电介质阻挡放电准分子灯等。
这样的荧光灯中,在主要进行电弧放电的荧光灯中,通过阳离子冲击使阴极被加热从而导致热电子电弧放电,但是,为了降低用于开始点亮的电压而提高起动性,作为阴极材料,要求除汞等发光用气体以外作为起动用气体而封入的稀有气体(主要是氩气)的激发导致的二次电子发射系数大的材料。
另外,在主要进行辉光放电的荧光灯中,存在阴极附近产生的阴极位降(电位差)大,从而发光效率下降的问题。对此,前述电子管中,提高阴极的二次电子发射特性时,可以减小上述的阴极位降,因此,要求二次电子发射系数大、适合制造电子管的化学稳定的阴极材料。
另外,在封入氙(Xe)气的荧光灯中,通过提高Xe浓度可以提高紫外线的发光效率,但是存在放电电压变高的问题,因此要求电子发射特性优良的电极或电介质材料。以往,作为电极,使用Ni或Mo作为放电电极的材料,但是,电子发射特性不充分。对此,提出了在电极表面配置电子发射特性优良的物质即铯(Cs)(参考专利文献1),但是难以得到充分的电子发射特性。
专利文献1:日本特开2001-332212号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种荧光灯,其中,来自放电气体的紫外线发光的效率良好,并且荧光灯的放电开始电压或放电维持电压等放电特性良好,化学安定,耐氧化性优良,耐溅射性也优良,可以节省电力。
本发明提供一种荧光灯,具有由包含放电气体的玻璃包围的放电空间、放电电极和荧光体,并且在与所述放电气体接触的内面的至少一部分中具有钙铝石型化合物。
本发明的荧光灯,由于钙铝石型化合物的电子发射特性优良,因此,紫外线发光的效率高,放电效率高,放电电压低,放电特性良好,并且化学稳定,耐氧化性优良,耐溅射性也优良。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的冷阴极荧光管的概略剖视图。
图2A是本发明的另一实施方式的液晶用背光用外部电极式荧光灯的概略外观图。
图2B是其轴向的概略剖视图。
图3是本发明的另一实施方式的复印机用外部电极式荧光灯的概略剖视图(立体图)。
图4是本发明的另一实施方式的平面荧光灯的概略剖视图。
图5是实施例中测定的、导电性钙铝石的集电极电压与二次电子发射系数(γ)的关系图。
图6是用于说明开路电池放电测定装置的图。
图7是表示实施例中放电开始电压和二次电子发射系数测定结果的图。
图8是表示实施例中试样A的阴极位降电压测定结果的图。
图9是表示实施例中试样E的阴极位降电压测定结果的图。
图10是表示实施例中试样F的阴极位降电压测定结果的图。
图11是表示实施例中试样G的阴极位降电压测定结果的图。
图12是表示实施例中试样H的阴极位降电压测定结果的图。
图13是表示实施例中冷阴极荧光灯的发光效率的图。
标号说明
11、21、31、41冷阴极荧光管
12、22、32、42玻璃管
421前面玻璃基板
422背面玻璃基板
13、23(a、b)、33(a、b)、43(a、b)放电电极
131杯体
132引线
14、24、34、44荧光体
15、25、35、45放电空间
16、26、36、46放电气体
17、27、37钙铝石型化合物
38反射膜
39管
48电介质层
具体实施方式
对本发明的荧光灯进行说明。
本发明的荧光灯,是具有由包含放电气体的玻璃包围的放电空间、放电电极和荧光体,并且在与所述放电气体接触的内面的至少一部分中具有钙铝石型化合物的荧光灯。
即,本发明的荧光灯,是具有内部具有空间的管状或容器状的玻璃、放电电极、荧光体以及钙铝石型化合物,所述玻璃的内部空间中充满放电气体,在与所述放电气体接触的内面的至少一部分中具有所述钙铝石型化合物的荧光灯。
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