[发明专利]采用选择性制造的碳纳米管可逆电阻切换元件的存储器单元及其形成方法

权利要求书

1.一种制造存储器单元的方法，该方法包括：

在衬底上制造操纵元件；以及

通过以下步骤制造与所述操纵元件耦接的可逆电阻切换元件：

通过在所述衬底上沉积硅-锗层来制造碳纳米管(“CNT”)籽晶层；

构图并蚀刻CNT籽晶层；以及

在CNT籽晶层上选择性地制造CNT材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述硅-锗层具有在大约1埃和大约500埃之间的厚度。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述硅-锗层具有在大约100埃和大约400埃之间的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述硅-锗层具有大约50埃的厚度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述硅-锗层包括从大约40％到大约95％的硅和从大约60％到大约5％的锗。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述硅-锗层包括从大约60％到大约80％的硅和从大约40％到大约20％的锗。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述硅-锗层包括大约70％的硅和大约30％的锗。

8.如权利要求1所述的方法，其中构图和蚀刻所述CNT籽晶层包括构图和蚀刻所述操纵元件。

9.如权利要求1所述的方法，其中在所述CNT籽晶层上选择性地制造CNT材料包括使用化学气相沉积在所述CNT籽晶层上沉积CNT材料。

10.如权利要求1所述的方法，还包括在所述CNT材料中建立缺陷以调整所述CNT材料的切换特性。

11.如权利要求1所述的方法，其中在所述操纵元件上制造所述可逆电阻切换元件。

12.如权利要求1所述的方法，其中制造所述操纵元件包括制造p-n或p-i-n二极管。

13.如权利要求1所述的方法，其中制造所述操纵元件包括制造多晶二极管。

14.如权利要求1所述的方法，其中制造所述操纵元件包括制造垂直多晶二极管。

15.如权利要求1所述的方法，其中制造所述操纵元件包括制造具有处于低电阻率状态的多晶材料的垂直多晶二极管。

16.如权利要求1所述的方法，其中制造所述操纵元件包括制造薄膜晶体管。

17.如权利要求1所述的方法，其中制造所述操纵元件包括制造薄膜、金属氧化物半导体场效应晶体管。

18.如权利要求1所述的方法，其中选择性地制造所述CNT材料包括制造具有基本垂直对准的CNT的CNT材料，以降低CNT材料中的横向导电性。

19.一种使用权利要求1的方法形成的存储器单元。

20.一种使用权利要求8的方法形成的存储器单元。

21.一种制造存储器单元的方法，该方法包括：

在衬底上制造第一导体；

通过以下步骤在第一导体上制造可逆电阻切换元件：

通过在第一导体上沉积硅-锗层来制造碳纳米管(“CNT”)籽晶层；

构图并蚀刻CNT籽晶层；以及

在CNT籽晶层上选择性地制造CNT材料；

在第一导体上制造二极管；以及

在二极管和可逆电阻切换元件上制造第二导体。

22.如权利要求21所述的方法，其中所述硅-锗层具有在大约1埃和大约500埃之间的厚度。

23.如权利要求21所述的方法，其中所述硅-锗层具有在大约100埃和大约400埃之间的厚度。

24.如权利要求21所述的方法，其中所述硅-锗层具有大约50埃的厚度。

25.如权利要求21所述的方法，其中所述硅-锗层包括从大约40％到大约95％的硅和从大约60％到大约5％的锗。

26.如权利要求21所述的方法，其中所述硅-锗层包括从大约60％到大约80％的硅和从大约40％到大约20％的锗。

27.如权利要求21所述的方法，其中所述硅-锗层包括大约70％的硅和大约30％的锗。