[发明专利]通过原子层沉积形成含钌的膜的方法

权利要求书

1.通过原子层沉积形成含钌的膜的方法，该方法包含将至少一种前体运送到基材，至少一种前体在结构上对应于式I：

(L)Ru(CO)₃

(式I)

其中：

L选自线型或支链的C₂-C₆烯基以及线型或支链的C_1-6烷基；并且其中L任选地被一种或多种取代基取代，所述取代基独立地选自C₂-C₆烯基、C_1-6烷基、烷氧基和NR¹R²；其中R¹和R²独立地是烷基或氢。

2.权利要求1的方法，其中L是线型或支链的含二烯的部分。

3.权利要求1的方法，其中L是选自丁二烯基、戊二烯基、己二烯基、庚二烯基和辛二烯基的线型的或支链的含有二烯基的部分。

4.权利要求1的方法，其中L被一个或多个的取代基取代，所述取代基独立地选自C₂-C₆烯基、C_1-6烷基、烷氧基和NR¹R²，其中R¹和R²独立地是烷基或氢。

5.权利要求1的方法，其中至少一个前体选自：

(η⁴-丁-1，3-二烯)三羰基钌；

(η⁴-2，3-二甲基丁-1，3-二烯)三羰基钌；和

(η⁴-2-甲基丁-1，3-二烯)三羰基钌。

6.权利要求1的方法，其中原子层沉积是光辅助的原子层沉积。

7.权利要求1的方法，其中原子层沉积是液体注入原子层沉积。

8.权利要求1的方法，其中原子层沉积是脉冲注入原子层沉积。

9.权利要求1的方法，其中采用非氧共反应剂，通过原子层沉积形成含钌的膜。

10.权利要求9的方法，其中非氧共反应剂包括基本气态材料，该气态材料选自氢、氮、氩、氨、肼、烷基肼、硅烷和硼烷。

11.权利要求10的方法，其中非氧气态材料是氢。

12.权利要求1的方法，其中基材选自硅、氧化硅、氮化硅、钽、氮化钽和铜。

13.权利要求1的方法，其中基材是金属并且电阻小于约100mohm/cm²。

14.权利要求13的方法，其中基材是钽或铜。

15.权利要求1的方法，其中基材是硅或二氧化硅并且电阻为约20ohm/cm²至约100mohm/cm²。

16.权利要求1的方法，其中该方法用于在硅片上的存储和逻辑应用。

17.权利要求16的方法，其中该方法用于DRAM或CMOS应用。