[发明专利]半导体晶片抛光装置和抛光方法无效

专利信息
申请号: 200980120268.6 申请日: 2009-05-19
公开(公告)号: CN102046331A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: P·D·阿尔布雷克特;Z·郭强 申请(专利权)人: MEMC电子材料有限公司
主分类号: B24B37/04 分类号: B24B37/04;B24B41/06
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 马江立;秘凤华
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 晶片 抛光 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片抛光装置,包括:

基部;

转盘,所述转盘上具有抛光衬垫并且所述转盘安装在基部上,以便所述转盘和抛光衬垫相对于基部围绕垂直于所述转盘和抛光衬垫的轴线进行旋转,所述抛光衬垫包括工作面,所述工作面能与晶片的前表面接合以抛光所述晶片的前表面;

驱动机构,所述驱动机构安装在基部上,以提供围绕基本平行于转盘的轴线的轴线的旋转运动;以及

抛光头,所述抛光头连接到用于驱动所述抛光头旋转的驱动机构,所述抛光头具有适配成保持晶片以使晶片的前表面与抛光衬垫的工作面接合的压板,所述压板具有大致平面位置,并且能够选择性地从所述平面位置移至凸起位置以及移至凹陷位置。

2.根据权利要求1所述的晶片抛光装置,其特征在于,还包括第一压力源,所述第一压力源用于向所述压板施加正压力以使所述压板从平面位置移至凸起位置,以及用于产生真空以使所述压板从平面位置移至凹陷位置。

3.根据权利要求2所述的晶片抛光装置,其特征在于,所述压板包括支撑板和从该支撑板延伸的环形壁,该支撑板和该环形壁至少部分地限定第一内腔。

4.根据权利要求3所述的晶片抛光装置,其特征在于,还包括保持板,所述保持板、支撑板和环形壁限定该第一内腔。

5.根据权利要求3所述的晶片抛光装置,其特征在于,所述支撑板能够相对于该环形壁围绕一铰链偏转。

6.根据权利要求5所述的晶片抛光装置,其特征在于,所述环形壁限定了支撑板能够围绕其偏转的铰链。

7.根据权利要求6所述的晶片抛光装置,其特征在于,所述环形壁具有在大约2毫米(0.079英寸)和大约3毫米(0.118英寸)之间的厚度。

8.根据权利要求1所述的晶片抛光装置,其特征在于,所述压板包括多个延伸通过所述压板的通道。

9.根据权利要求8所述的晶片抛光装置,其特征在于,还包括用于向延伸通过所述压板的通道施加压力的第二压力源。

10.根据权利要求9所述的晶片抛光装置,其特征在于,还包括安装在所述压板上的挡板,该挡板和压板协作地限定第二内腔。

11.根据权利要求1所述的晶片抛光装置,其特征在于,所述压板由不锈钢制成。

12.一种用于在抛光装置中保持晶片的抛光头,该抛光头包括压板,所述压板具有用于在抛光装置的操作期间接合并保持晶片的支撑板,该支撑板具有大致平面位置并能够选择性地从该平面位置移动到凸起位置以及移动到凹陷位置。

13.根据权利要求12所述的抛光头,其特征在于,所述压板还包括从该支撑板向外延伸的环形壁。

14.根据权利要求13所述的抛光头,其特征在于,所述环形壁限定了一铰链,所述支撑板能够绕该铰链偏转。

15.根据权利要求14所述的抛光头,其特征在于,所述支撑板和环形壁形成为单个部件。

16.根据权利要求12所述的抛光头,其特征在于,所述支撑板包括多个从中延伸的通道。

17.根据权利要求12所述的抛光头,其特征在于,所述压板至少部分地限定一内腔。

18.根据权利要求12所述的抛光头,其特征在于,所述压板由不锈钢制成。

19.一种抛光半导体晶片的方法,包括如下步骤:

量化半导体晶片的前表面的平坦度;

将半导体晶片放置成与晶片抛光装置的抛光头接触,该抛光头具有压板,并且晶片放置成与所述压板直接接触;

定位由抛光头保持的晶片,以使晶片的前表面接合抛光衬垫的工作面;

使晶片的前表面抵靠抛光衬垫;

基于晶片的前表面的平坦度,使所述压板从大致平面位置偏转至凸起位置和凹陷位置的其中之一;

驱动在抛光装置的转盘上的抛光衬垫围绕第一轴线进行旋转;

驱动抛光头大致围绕不与第一轴线重合的第二轴线进行旋转,从而抛光晶片的前表面;

使晶片与转盘脱离接合;以及

从抛光头上取下晶片。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司,未经MEMC电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980120268.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top