[发明专利]含硅薄膜的低温沉积

权利要求书

1.一种在处理室中在基底上沉积氮化硅或碳掺杂的氮化硅的方法，包括：

a.将基底与含氮源接触，以在基底上吸收含氮源的至少一部分；

b.清洗未吸收的含氮源；

c.将基底与含硅前体接触，以与吸收的含氮源的部分反应；和

d.清洗未反应的含硅源；

其中，所述方法是等离子体增强的方法。

2.根据权利要求1的沉积氮化硅的方法，其中，所述含硅源是一氯甲硅烷。

3.根据权利要求1的沉积碳掺杂的氮化硅的方法，其中，所述含硅源是一氯烷基硅烷，具有通式ClSiH_xR¹_nR²_m-x，其中，x＝1、2；m＝1、2、3；n＝0、1，n+m＝＜3；R¹和R²为直链、支链或环状的，独立地选自具有1-10个碳原子的烷基、链烯基、炔基和芳基。

4.根据权利要求3所述的含硅源，选自ClSiEtH₂、ClSiEt₂H、ClSi(CH＝CH₂)H₂、ClSi(CH＝CH₂)MeH、ClSi(CH＝CH₂)EtH、ClSi(CCH)H₂、ClSi(iso-Pr)₂H、ClSi(sec-Bu)₂H、ClSi(tert-Bu)₂H、ClSi(iso-Pr)H₂、ClSi(sec-Bu)H₂、ClSi(tert-Bu)H₂及其混合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其选自等离子体增强的原子层沉积和等离子体增强的循环化学气相沉积；其中，所述等离子体选自氨等离子体、氮等离子体、氮和氢等离子体的混合物及氮和氩等离子体的混合物；等离子体激发的硅前体是任选的。

6.根据权利要求5的方法，其中，所述等离子体是原位产生的等离子体或远处产生的等离子体。

7.根据权利要求1的方法，其中，所述用于沉积氮化硅的含氮源选自氮、氨、肼、单烷基肼、二烷基肼及其混合物；和用于沉积碳掺杂的氮化硅的含氮源选自氮、氨、肼、单烷基肼、二烷基肼、羟胺(NH₂OH)、叔丁胺(NH₂C(CH₃)₃)、烯丙胺(NH₂CH₂CHCH₂)、盐酸羟胺、甲胺、二乙胺、三乙胺及其混合物。

8.一种在处理室中在基底上沉积氧化硅或碳掺杂的氧化硅的方法，包括：

a.将基底与含氧源接触，以在基底上吸收含氧源的至少一部分；

b.清洗未吸收的含氧源；

c.将基底与含硅前体接触，以与吸收的含氧源的部分反应；和

d.清洗未反应的含硅源。

9.根据权利要求8的沉积氧化硅的方法，其中，所述含硅源是一氯甲硅烷。

10.根据权利要求8的沉积碳掺杂的氧化硅的方法，其中，所述含硅源是一氯烷基硅烷，具有通式ClSiH_xR¹_nR²_m-x，其中，x＝1、2；m＝1、2、3；n＝0、1，n+m＝＜3；R¹和R²为直链、支链或环状的，独立地选自具有1-10个碳原子的烷基、链烯基、炔基和芳基。